New York: Wiley-VCH, 2022. — 381 p. A comprehensive guide to a unique class of compounds with a variety of applications Since the discovery of graphene, there has been intensive interest in two-dimensional materials with similar electronic and industrial applications. The limitations on the usefulness of graphene itself, however, have powered the search for other materials with...
Cambridge Scholars Publishing, 2022. — 243 p. Semiconductor-based devices with increased reliability, low cost, unusual lightness, small size, and minimal service have become an important part of our daily lives. It is difficult to imagine life without electronic vehicles, TVs, computers, smartphones, medical networks, and global e-commerce. As this book argues, semiconductors...
Новосибирск: Наука, 1979. — 160 с. В книге рассмотрены физические процессы, вызывающие внутреннее трение в полупроводниках. Описаны конструкции установок, методы исследования внутреннего трения и их результаты для кремния, германия, арсенида галлия, сернистого цинка. Приведены данные о частотной, температурной и амплитудной зависимости внутреннего трения. На их основе...
Учебное пособие. — Издание второе, исправленное. — СПб.: Лань, 2012. — 240 с. — (Учебники для вузов. Специальная литература).
Представлена технология и техника производства полупроводниковых материалов, имеющих широкое применение в электронной промышленности. Рассмотрены основные физические и химические свойства элементарных полупроводников и компонентов бинарных соединений,...
М.: Воениздат, 1962. — 114 с. В настоящей книге рассказано об изготовлении и использовании ферромагнитных полупроводников, о магнитных явлениях, рассмотрены свойства феррита как материала, описаны некоторые ферритовые детали и простейшие схемы на ферритах. Книга рассчитана на офицеров, связанных с эксплуатацией радиотехнических средств. Кроме того, она представляет интерес для...
Препринт ИАЭ-2103. — М.: Ин-т атомной энергии им. И.В.Курчатова, 1971. — 16 с. Предложен новый метод определения энергии активации миграции дефектов на стоки и частотного фактора по кривой изохронного отжига, не требующий никакой другой информации, кроме той, которая содержится в самой кривой отжига. Исследован вид кривой изохронного отжига пар Френкеля на стоки и их взаимной...
Учебное пособие для вузов по специальностям электронной техники. — Под ред. В.А. Терехова. — М.: Высшая школа, 1990. — 208 с.: ил. — ISBN: 5-06-001538-6. Книга содержит вопросы и задачи, решение которых должно способствовать закреплению и углублению представлений о физических процессах и явлениях в проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалах,...
Учебное пособие для СПТУ. – М.: Высшая школа, 1988. – 80 с. Постраничное изображение 300 точек на дюйм с текстовым слоем (Поиск = Ctrl+F) В книге описаны свойства, методы получения к области применения новых материалов электронной техники: полупроводниковых, магнитных, диэлектрических и лазерных. Показана связь между составом, структурой, физическими и химическими свойствами...
Реферативный обзор. — М.: ОНТИ, 1988. — 55 с. Рассматривается производство монокристаллов кремния большого диаметра для полупроводниковых приборов. Отмечается тенденция использования монокристаллов кремния с низкой концентрацией углерода. Приводится современный уровень технологии подготовки поверхности полупроводниковых пластин при производстве СБИС, а также использование...
М. ОНТИ, 1990. — 31 с. Обзор зарубежных публикаций. Приводятся данные об исследованиях и производстве монокристаллов арсенида галлия для полупроводниковых приборов. Рассматривается конъюнктура рынка GaAs и приборов на его основе. Описано изготовление пластин, качество их поверхности и полупроводниковых приборов. Для специалистов, инженеров-технологов, преподавателей, аспирантов...
Москва: Металлургия, 1968. — 151 с. Монография посвящена описанию физических и физико-химических свойств малоизученного до настоящего времени класса веществ — тройных алмазоподобных полупроводниковых соединений. Рассмотрению полупроводниковых и технологических свойств этих материалов предшествует раздел, в котором рассмотрены общие принципы образования тетраэдрической...
Анализ физических свойств при внешних воздействиях, прогнозирование. Элементы проектирования. — М.: Советское радио, 1974. — 352 с. Рассматривается стабильность свойств ферритов при воздействии различных факторов: климатических, механических, радиации, времени и др. Излагаются результаты исследования свойств ферритов, определяющих их стабильность, в том числе: механических и...
Москва: ЦНИИ Электроника, 1986. — 58 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 5 (1208)). Представлен обзор литературы по эпитаксиальному росту тонких пленок силицидов на поверхности кремния, металлов и сложных веществ. Наиболее подробно освещены вопросы, связанные со структурой силицидных пленок. Приведенные данные могут быть использованы для разработки...
М.: Госэнергоиздат, 1961. — 352 c. В книге излагаются основы физики явлений, происходящих в радиотехнических электроизоляционных, полупроводниковых, проводниковых и магнитных материалах, и описываются их электрические свойства, особенно при повышенных и высоких частотах, а также даются их физико-химические и механические характеристики. Кратко рассматривается технология...
Коллектив авторов. — М.: Физматгиз, 1961. — 462 с. В предлагаемой монографии мы попытались обобщить и систематизировать накопленный за последние годы (до 1960 г.) экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в различных полупроводниковых материалах. Часть этого материала была получена в лаборатории диффузионных процессов Института полупроводников АН СССР....
Ленинград: Наука, 1972. — 124 с. Кремний, в котором примеси элементов III—V групп с мелкими уровнями полностью или частично компенсированы примесями с глубокими локальными уровнями, находит широкое практическое применение для изготовления быстродействующих приборов и активных элементов интегральных схем в микроэлектронике, а также для ряда других полупроводниковых приборов....
Москва: Мир, 1970. — 176 с. Предлагаемая читателю книга А. Боонстры является детальным отчетом о шестилетней экспериментальной работе, посвященной изучению физико-химических свойств поверхности Ge и Si. Исследования, проведенные в лабораториях всемирно известной голландской фирмы «Филипс», были выполнены на очень высоком методическом уровне и состояли в установлении...
Учебник. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1977. — 152 с. Описана механическая обработка полупроводниковых материалов — резка, шлифовка, полировка. Приведены режимы обработки, даны основные сведения о полупроводниковых и вспомогательных материалах и инструменте, рассмотрены контрольные операции. Второе издание дополнено сведениями по совершенствованию отдельных...
М.: Физматгиз, 1963. — 406 с.: ил. В книге рассматриваются разнообразные методы, применяемые для исследования диэлектрической проницаемости и потерь твердых, жидких и газообразных веществ в диапазонах метровых, дециметровых и сантиметровых волн. Указываются достоинства и недостатки всех рассмотренных методов, границы их применимости и точность получаемых результатов. Книга...
Москва: Наука. Физматлит, 1997. — 352 с. — ISBN 5-02-015164-5. Монография посвящена анализу механизмов взаимодействий точечных дефектов (примесей, вакансий, антиструктурных дефектов и др.) в элементарных полупроводниках и многокомпонентных полупроводниковых соединениях. Рассмотрены движущие силы взаимодействий, их термодинамическое описание, кинетика—миграция точечных дефектов...
М.: Наука, 1981. — 368 с. В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных эффектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. особое внимание...
Коллективная монография. М.: Металлургия, 1983. — 127 с. — (МИСиС, Научные труды №146). Представлены результаты экспериментальных работ в области исследования процессов синтеза полупроводниковых соединений A 2 B 6 , выращивания монокристаллов и пленок, а также установления зависимости структуры и свойств соединений от условий получения и отклонения их состава от...
М.: Советское радио, 1979. — 272 с. Книга посвящена проблеме создания приборов на сегнетоэлектрических материалах, позволяющих существенно расширить возможности техники СВЧ. Рассмотрены вопросы электродинамики и технологии сегнетоэлектрических СВЧ приборов. приведены методы анализа и и характеристики фазовращателей высокого уровня мощности с большим быстродействием и...
Москва: Высшая школа, 1968. — 271 с. В книге излагается физическая сущность теорий различных механических и тепловых свойств щелочно-галоидных кристаллов, в частности, и ионных вообще; приводятся результаты теоретического рассмотрения законов изменения свойств при изменении состава соединений, концентрации дефектов решетки и условий внешнего воздействия на тела. Во всех...
Киев: Выща школа, 1988. — 232 с.: 125 ил. В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника). Изложены физические принципы методик...
М.: Энергия, 1975. — 184 с.
Описаны свойства в строение титана и его сплавов в различных условиях внешнего воздействия в соответствии с требованиями, предъявляемыми к материалам электронной техники.
Рассматриваются возможности и перспективы применения титана и его сплавов, а также соединений, содержащих титан, в качестве материалов с особыми электрическими, тепловыми,...
М.: Наука, 1967. — 371 с. В монографии обобщены результаты исследования принципов и процессов легирования германия и кремния с позиций физической химии и физики твердого тела. В первой главе последовательно и полно изложены принципы легирования полупроводников. Во второй главе собран и проанализирован практически весь имеющийся материал по двойным системам на основе германия и...
М.: Энергия, 1967. — 272 с. В книге описаны процессы и режимы производства пьезокерамики. Рассматриваются особенности производства керамических пьезоэлементов, их свойства и назначение. Кратко излагаются свойства и назначение пьезокерамических материалов, методики измерений и испытаний пьезокерамики. Книга предназначена для технологов пьезокерамического производства и может...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1983. — 110 с. Излагаются современные представления об эффектах, сопровождающих бомбардировку поверхностных слоев твердых тел ионами различных энергий, вызываемых этими эффектами изменениях в химическом и фазовом составе, структурном совершенстве, влияние на эти изменения последующих нагревов. Рассматриваются пути практического использования ионной...
Учебник для ВУЗов. 2-е изд., перераб. и дополн. — М.: МИСИС, 2003. — 480 с. — ISBN: 5-87623-018-7. Рассмотрены свойства различных полупроводниковых и диэлектрических материалов и частично металлов, используемых в твердотельной электронике. Показано влияние природы химических связей, химического и фазового состава, атомной структуры и структурных несовершенств на свойства этих...
М.: Металлургия, 1973. - 497 с. Учебное пособие охватывает круг основных проблем материаловедения неорганических материалов, предназначенных для использования в электронном приборостроении. Рассмотрены закономерности образования полупроводниковых и металлических фаз; дефекты структуры и примеси в полупроводниках и металлах; поверхностные явления в полупроводниках; процессы...
М.: Советское радио, 1968. — 268 с.: 77 ил. Монография посвящается сложным алмазоподобным полупроводникам, многие из которых нашли в последние годы широкое применение в радиоэлектронике. Книга содержит результаты исследований автора и его сотрудников в области химии алмазоподобных полупроводников, а также отражает работы других ученых. Обобщается обширный экспериментальный...
Ленинград: ЛУ, 1963. — 224 с. Монография посвящена физико-химическим свойствам алмазоподобных полупроводников, которые нашли в последние годы весьма широкое применение в радиоэлектронике. В книге обобщен обширный экспериментальный материал как по бинарным, так и по более сложным алмазоподобным полупроводникам: Приводится систематизация всех известных к настоящему времени...
Москва, Советское радио, 1974. — 376 с. Книга посвящена описанию нового класса полупроводниковых материалов — соединениям A 2 B 4 C 5 2 . Они являются ближайшими электронными аналогами полупроводников A 3 B 5 и элементарных полупроводников — германия и кремния. Обладая столь же интересными для практических применений свойствами. как и более простые по составу алмазоподобные...
Харьков: Институт монокристаллов, 2002. — 265 с. На примерах ниобата бария-стронция Ba(1-x)SrxNb2O6, лантан-галлиевого силиката La3Ga5SiO14, боратов: литий-гадолиния Li6GdB3O9, лития Li2B4O7, бария ВаВ2О4 и лантана LaB3O6 рассмотрены особенности синтеза шихты и методов выращивания монокристаллов сложных типов оксидных соединений, их структура, изготовление кристаллических...
М.: Физматгиз, 1960. — 408 с. Развитие техники сверхвысоких частот, используемой в радиолокации, радиоприемной части, радиоастрономии, потребовало применения новых магнитных материалов-ферромагнитных полупроводников, или ферритов. В настоящее время научно-исследовательские и прикладные работы с этими материалами в диапазоне СВЧ ведет больше число физиков, радиотехников,...
Москва: Мир, 1970. — 696 с. Предлагаемая вниманию читателей книга известных австралийских ученых Ф. Гутмана и Л. Лайонса является первым зарубежным изданием, в котором собраны и обработаны результаты исследований органических полупроводников, выполненных в нескольких тысячах оригинальных работ. В книге большое внимание уделено различным теоретическим подходам к изучению физики...
М.: ЦНИИ Электроника, 1990. — 18 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 8 (1569)). Аналитический обзор посвящен рассмотрению механизмов роста и выращивания междендритных монокристаллических лент кремния с тонкой двойниковой прослойкой, электрических свойств и особенностей структуры лент. Проанализировано более 50 источников отечественной и зарубежной...
Москва: Наука, 1982. — 208 с. В монографии систематизированы данные по импульсному отжигу полупроводниковых материалов, в основном по отжигу имплантированных ионами слоев наносекундными, миллисекундными импульсами и сканирующими лучами. Основное внимание уделено отжигу радиационных дефектов и кристаллизации разупорядоченных слоев, активации и перераспределению примеси....
Москва: ЦНИИ Электроника, 1986. — 57 с. — (Обзоры по электронной технике Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Выпуск 8 (1202)). Рассмотрено практическое применение метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней для исследования характеристик глубоких уровней (ГУ) в различных материалах электронной техники: кремнии, соединениях и твердых растворах А...
Москва: Металлургия, 1980. — 112 с. В книге изложены принципы создания микроэлектронных устройств на основе различных технологических процессов нанесения тонких и толстых пленок. Исходя из современной практики их изготовления, проведен сравнительный анализ особенностей технологии производства тонких и толстых пленок, тонкопленочных микроволновых устройств, рассмотрены...
Перевод с английского В.В. Щелокова. — Под редакцией и с предисловием Е.X. Караерова. — Москва: Мир, 1975. — 142 с.: ил. — (В мире науки и техники). Книга известного английского ученого профессора У. Джолли посвящена криоэлектронике, молодой и быстро развивающейся отрасли радиоэлектроники, которая возникла около 10—15 лет назад. Последние достижения и перспективы развития этой...
М.: Металлургия, 1978. — 272 с. Изложены физико-химические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Проанализировано влияние размерных эффектов в твердом теле и в процессах его формирования на развитие микроэлектроники, обсуждены предельные возможности миниатюризации и интеграции полупроводниковых приборов. Рассмотрены механизмы неравновесных процессов...
Мн.: ФУАинформ, 2003. — 112 с. В книге излагаются пути и методы мирового производителя и поставщика современной пьезоэлектрической керамики и пьезоизделий для предприятий машиностроения, военной, аэрокосмической и других отраслей промышлености, медицинской и бытовой техники. Предназначена для руководителей и специалистов предприятий, имеющих отношение к производству...
Учебное пособие для СПТУ. — М.: Высшая школа, 1988. — 184 с. В книге приведены основные сведения о технологическом процессе производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, описаны режимы обработки, причины возникновения брака и способы eгo устранения; процессы механической обработки пластин, разделения их на кристаллы, изготовления фотошаблонов; устройство,...
Под ред. Горелика С.С. Учебное пособие для практических занятий. — М.: МИСиС, 1983. — 67 с. Пособие представляет собой дополнительный материал к разделу "Фазовые равновесия в полупроводниковых и металлических системах" учебника С.С.Горелика и М.Я.Дашевского "Материаловедение полупроводников и металловедение" ( /file/1815959/ /file/1963651/ ). Рассмотрены диаграммы состояния...
Курс лекций. — МТУСИ, 2002. — 134 с. К курсу прилагается сборник задач с решениями и контрольное задание: /file/144380/ Настоящее учебное пособие написано в соответствии с программой дисциплины "Химия радиометаллов", рекомендованной Минобразования России для подготовки специалистов по направлению 550400 Телекоммуникации. Основные закономерности формирования структуры материалов....
Пер. с англ. Г.Д. Глебова, Л.И. Колесника. — М.: Оборонгиз, 1961. — 315 с. В книге изложены основы технологии полупроводниковых материалов - германия и кремния. Наряду с теоретическими основами получения однородных и совершенных монокристаллов с заданными физическими свойствами, рассмотрены основные свойства полупроводниковых материалов, распределение примесей в кристаллах,...
Л.: Энергия, 1979. — 144 с.: ил. В книге обобщены сведения о кристаллохимических, оптических и фотоэлектрических свойствах окислов свинца. Описываются способы изготовления окисносвинцовых фоторезисторных, фотодиодных и электрофотографических слоев, монокристаллов, мишеней видиконов и их характеристики. Книга предназначена для научных работников и инженеров, специализирующихся в...
М.: Высшая школа. 1987. — 247 с. Приведены классификация, структура, механические и физические свойства конструкционных, проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных, а также специальных электровакуумных материалов и материалов для химической обработки полупроводников. Уделено внимание особенностям технологии обработки и применения различных материалов, их...
М.: Высшая школа, 1981. — 296 с. В книге рассмотрены основные классы электрорадиоматериалов: проводники, диэлектрики, полупроводники, магнитные материалы: описаны их электрические, магнитные и механические свойства; показана зависимость этих свойств от структуры материала и технологии его изготовления; приведена сравнительная характеристики конкретных электрорадиоматериалов и...
Москва: Радио и связь, 1988. — 104 с. Изложены особенности обработки монокристаллов, имеющих наиболее широкое применение в микроэлектронике. Приведены основные процессы, инструменты и оборудование. С учетом последних научных данных рассмотрены общие закономерности взаимодействия монокристалла с абразивом, особенности микроразрушения и микропластической деформации поверхностных...
Тбилиси: Мецниереба, 1985. — 176 c. В монографии приводятся физико-химические и физические свойства твердых растворов германий-кремний. Изложены методы получения их кристаллов и сведения о практическом использовании твердых растворов германий-кремний. Рассматриваются кристаллическая структура, диаграмма состояния, параметр решетки, плотность, механические свойства, процессы...
Москва: Наука, 1974. — 236 с. В монографии описаны методы выращивания и свойства синтетических монокристаллов чистого корунда (лейкосапфира) и корунда с примесями (рубина), в том числе методы выращивания крупных кристаллов корунда (буль, стержней, пластин). Показаны методы и некоторые приборы для исследования ряда свойств (оптических, акустических, механических) корунда....
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2004. — 103 с. Содержит описание семи лабораторных работ по курсу "Технология материалов электронной техники". Лабораторные работы посвящены исследованию физико-химических свойств материалов, кинетических характеристик процессов водородного восстановления, ионного обмена, очистки, ректификации и зонной перекристаллизации. По ряду процессов...
М.: Металлургия, 1975. — 456 с.: 93 ил. В книге изложены основные вопросы физики процессов диффузии и окисления полупроводников. Сделана попытка на основе атомистических модельных представлений рассмотреть наиболее существенные эффекты, связанные с переносом вещества в объеме, по дефектам и по поверхности полупроводниковых кристаллов с решеткой алмаза — сфалерита. Рассмотрен...
Учебное пособие для курсового проектирования. — М.: МИСиС, 1978. — 103 с. В последнее время полупроводниковые приборы находят широкое применение для генерирования и усиления мощности в ВЧ и СВЧ-диапазонах, где уже сейчас успешно конкурируют с электронными лампами. Сравнение усилителей, изготовленных на транзисторах, по таким параметрам, как рабочая частота и коэффициент шума, с...
Москва: Радио и связь, 1982. — 240 с. Дан обзор методов исследования пластичности и прочности монокристаллических полупроводников, показана связь этих параметров с кристаллической структурой и свойствами дислокаций, а также с процессами изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Предназначена для инженеров-физиков и технологов, занимающихся...
Москва: Энергия, 1977. — 368 с. В книге анализируются наиболее характерные свойства пленочных диэлектриков, используемых в современных полевых приборах и элементах функциональной микроэлектроники Рассмотрены основные технологические методы получения тонких диэлектриков с заданными свойствами и влияние технологических параметров на их физические и эксплуатационные характеристики....
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1979. — 118 с. Пособие для курсового проектирования по дисциплине "Технология полупроводниковых материалов". Тепловые и электрические расчеты термического оборудования полупроводникового производства. Тепловой баланс термической установки. Расчет тепловых потерь теплопроводностью через многослойную теплоизоляцию с помощью ЦВМ "Наири—2". Расчет...
Учебник для вузов. — 2-е изд. перераб. и доп. — М.: МИСИС, 1995. — 493 с. Во втором издании учебника (первое вышло в 1982 г.) на современном уровне представлены общие положения термодинамики необратимых процессов; закономерности диффузии и термокинетики в неподвижной и движущейся средах, макрокинетики гетерогенных процессов; математическое описание двухфазных равновесий; P—T—x...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1995. — 152 с. Практикум включает в себя пять задач по основным разделам курса. Они посвящены исследованию физико-химических свойств материалов (давление насыщенного пара, коэффициента взаимодиффузии) и кинетических характеристик процессов пиролиза, водородного восстановления, ионообмена, ректификации, зонной перекристаллизации. По ряду процессов...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1986. — 96 с. Пособие включает три лабораторные работы, не вошедшие в первую часть лабораторного практикума по курсу "Теоретические основы технологии полупроводниковых материалов". Эти работы посвящены процессам зонной перекристаллизации, получения легированных кристаллов путем вытягивания из расплава по Чохральскому и исследованию массообменных...
Москва: Металлургия, 1985. — 104 с. Рассмотрены источники вторичных ресурсов рассеянных редких металлов. Изложена технология получения вторичных германия, галлия, индия, таллия и рения из отходов разных видов методами, основанными на физических и химических свойствах этих металлов. Приведены некоторые технико-экономические показатели рассматриваемых процессов. Книга предназначена...
Москва: Государственное издательство техннко-теоретической литературы, 1954. — 220 с. В книге освещаются некоторые вопросы физики твердого тела на базе понятия о поверхностной энергии. При помощи этого понятия связываются воедино все явления, происходящие в хрупких телах при их разрушении. Книга предназначена главным образом для научных работников, но может быть полезна...
Учебно-методическое пособие. — М.: МИСиС, 2006. — 99 с. Рассматриваются теоретические вопросы процессов роста объемных монокристаллов и пленок на атомно-молекулярном уровне. Анализируются существующие представления о механизме формирования кристалла с учетом начальных стадий его зарождения. Обсуждаются и анализируются особенности кристаллизации при различной движущей силе...
М.: ОНТИ, 1990. — 31 с. Приводятся данные о выращивании монокристаллов арсенида галлия и изготовлении из них пластин для полупроводниковых приборов. Отмечаются Особенности технологии и оборудования, обеспечивающие требуемый уровень качества структур. Для специалистов, инженеров-технологов, преподавателей, аспирантов и студентов. Перспективы использования эпитаксиальных слоев...
Москва: Наука, 2004. — 369 с. В книге дано описание синтеза в расплаве и направленной кристаллизации высокотемпературных оксидных соединений методом прямого высокочастотного нагрева в холодном тигле. Наибольшее внимание уделено оксиду циркония, для стабилизации кубической структуры которого использовались оксиды иттрия, кальция и редкоземельных элементов. Варьирование состава и...
Москва: Наука, 2001. — 280 с. В монографии описана новая технология получения высокотемпературных диэлектрических кристаллов, в том числе широко известных фианитов, стекол и плавленых керамических материалов. В основе технологии лежит метод прямого индукционного плавления в холодном контейнере. Изложены физические основы технологии, описаны технологические установки, показаны...
К.: Вища школа, 1977. — 232 с. В монографии изложены основные требования, предъявляемые к электродным материалам, и возможности использования тугоплавких соединений. Приведены сведения о теплофизических, термодинамических, электрофизических и прочностных свойствах карбидов и боридов. Основное внимание уделено анализу термоэмиссионных, адсорбционных и каталитических свойств...
Учебное пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы». — 3-е изд., перераб. и доп. — Москва: Высшая школа, 1986. — 368 с. В книге рассмотрены основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В 3-е издание (2-е — в 1979 г.) введены новые разделы, посвященные технологическим процессам...
Л.: Электроника, 1973. — 56 с. — (Обзоры по электронной технике). В настоящем обзоре внимание читатели акцентируется на Физико-химических свойствах переключающих аморфных материалов, конструктивно-технологических принципах построения элементов электроники и областях применения в электронике эффекта переключения и аморфных полупроводниках. Введение Физико-химические свойства...
Пер. с англ. под ред. А.Г. Гуревича. — М.: Мир, 1965. — 676 с. Книга представляет собой фундаментальную монографию по свойствам и применениям магнитных материалов - ферримагнетиков (особенно ферритов) и антиферромагнетиков. Полнота приведенных в книге сведений, а также отраженный в ней опыт американских физиков и инженеров позволяют использовать книгу для справочных целей. С...
Курс лекций. — М.: МИСиС, 1989. — 47 с. Пособие предназначено для студентов специальностей 20.02, 20.03 факультета полупроводниковых материалов и приборов (дневного и вечернего отделений), изучающих курс "Материаловедение полупроводников". Излагаются основные представления о физических основах пластичности и прочности полупроводников, показана связь этих свойств с...
Москва: Металлургия, 1987. — 232 с. Обобщены основные закономерности процесса, включающие кинетику и стабильность, перераспределение компонентов и совершенство кристаллической структуры выращиваемого материала. Проанализированы и сопоставлены с теорией экспериментальные результаты зонной перекристаллизации градиентом температуры кремния, германия, соединений типа А 3 В 5 и...
А.Н. Малов, И.А. Арутюнова, А.К. Белопухов, Р.М. Гоцеридзе, П.Н. Орлов, А.Н. Чеканов. М.: Машиностроение, 1969. - 440 с.
Данное учебное пособие является первой частью курса «Технология приборостроения» и охватывает общие понятия о технологических процессах и технологию основных видов обработки, применяемых в приборостроении.
В пособии даны основные понятия, относящиеся к...
Москва, Металлургия, 1977. — 328 с. Описана технология выращивания германия, кремния, соединений A III B V и других полупроводников в виде монокристаллов различной формы. Излагаются физико-химические основы выращивания профильных монокристаллов из твердой фазы, из расплавов, из растворов в расплавленных металлах и из газовой фазы. Рассматриваются специфические особенности...
Москва: Высшая школа, 1970. — 504 с. Книга состоит из трех частей. В первой части кратко излагаются понятия кристаллографии и физической химии; во второй рассмотрены элементы теории зарождения и роста кристаллов, методы выращивания монокристаллов, проблема эпитаксиальных пленок; в третьей описываются технология изготовления и свойства наиболее изученных полупроводников:...
Москва: Мир, 1991. — 670 с. Монография авторов из США посвящена приципам работы приборов на основе аморфных полупроводников. Подробно рассматриваются свойства и применения аморфного кремния и соединений на его основе, а также халькогенидных полупроводников. Благодаря большому количеству фактического материала книга может служить справочным пособием. Изложение не перегружено...
М.: Советское радио, 1967. — 183 с. В книге рассматриваются методы проектирования постоянных магнитов для электровакуумных СВЧ приборов. Описываются наиболее удачные, хорошо зарекомендовавшие себя в эксплуатации конструкции, а также их технология и методы расчета. Собран и обобщен опыт, накопленный отечественной и зарубежной техникой в создании магнитных систем для формирования...
М. - Л.: Госэнергоиздат, 1963. — 664 с.: ил.
Книга посвящена вопросам применения ферритов на сверхвысоких частотах, представляющим собой новую самостоятельную область современной радиоэлектроники.
В ней рассматриваются электромагнитные явления в намагниченных ферритах, вопросы теории и техники линейных ферритовых устройств, использующих эти явления.
Книга рассчитана на...
Монография. — М.: Мир, 1977. — 568 с. Представлен обширный систематизированный экспериментальный материал, касающийся природы, свойств и различных проявлений примесных центров с глубокими уровнями в германии, кремнии и полупроводниках типа АIIIВV. Подробно рассмотрены различные неравновесные процессы в этих полупроводниках и р-n-переходах на их основе: механизмы захвата...
М.: Металлургия, 1985. — 160 с.: ил. Рассмотрены общие закономерности дефектообразования в эпитаксиальных композициях полупроводников. Проанализированы природа и закономерности возникновения дефектов в гомо- и гетероэпитаксиальных системах. Обсуждены пути повышения совершенства структуры эпитаксиальных композиций, в том числе перспектива создания изопериодных гетерокомпозиций...
Учебное пособие для технических училищ. — М.: Высшая школа, 1984. — 176 с.: ил. — (Профессионально-техническое образование). В книге описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и микросхем. Рассмотрены процессы изготовления биполярного и МДП-транзисторов, а также интегральных микросхем на их основе. Пособие является программированным и...
Москва: ЦНИИ "Электроника", 1982. — 46 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 1 (857)). Обобщен и систематизирован опубликованный материал по использованию алмазов в качестве теплоотводов в конструкциях корпусов полупроводниковых приборов. Рассмотрены свойства и методы измерения теплопроводности алмазов, а также конструкции корпусов с...
Москва: ЦНИИ Электроника, 1975. — 1988. — 36 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 4 (1342)). Обзор посвящен применению природных алмазов в качестве активных и пассивных элементов в полупроводниковой электронике. Рассмотрены алмазные теплоотводы: теплофизические характеристики; способы обработки сырья; металлизация и крепление; эмиттеры...
Москва: Наука, 1990. — 256 с. В монографии обобщены обширные литературные данные и результаты авторов по изучению сложных оксидов молибдена и вольфрама, содержащих щелочные, щелочноземельные, редкоземельные элементы и элементы подгруппы титана. Описаны условия синтеза сложных оксидов, результаты их исследований методами рентгенографии, спектроскопии и термографии....
Монография. — М.: Горячая линия-Телеком, 2015. — 176 с.: ил. — ISBN: 978-5-9912-0486-6. Систематизирована обширная информация об основных материалах и компонентах, используемых при изготовлении печатных плат различного типа. Изложены методологические основы применения и испытаний базовых материалов печатных плат. Рассмотрены вопросы технологичности материалов в производстве...
Перевод с англ. В.В. Баранова под ред. Ю.Д. Чистякова. — М.: Мир, 1986. — 176 с. В книге известного американского специалиста в области технологии микроэлектроники рассмотрены и обобщены результаты исследований электрических, термодинамических и механических свойств силицидов - соединений кремния с переходными металлами. Описываются методы использования силицидов в технологии...
Москва: Мир, 1984. — 624 с. Монография индийского ученого с подробным изложением теории эффекта фотоупругости и электрооптических свойств кристаллов, отражающая историю вопроса более чем за 100 лет. Благодаря легко доступной форме изложения, книга полезна не только специалистам, но и читателям, начинающим знакомство с предметом. Для широкого круга научных работников и...
Л.; М.: Гос. технико-теорет. изд-во, 1933. — 160 с.: ил. Книга освещает и знакомит с физико-техническими основами одного из разделов физики — превращение световой энергии в электричество и вопросами выпрямления электрического тока. Книга предназначена для широких масс рабочих изобретателей (правда с достаточной подготовкой) и имеет целью способствовать разработке вопросов...
2-е изд. перераб. и доп. — Учебное пособие для подготовки рабочих. — М.: Металлургия, 1989. — 272 с.: ил. Изложены краткие сведения об основных материалах современной электроники, строении и росте монокристаллов. Описаны базовые положения физики полупроводников, свойства и марки монокристаллов важнейших полупроводников. Приведены данные об основных и вспомогательных материалах...
Учебное пособие для практических занятий. — М.: МИСиС, 1998. — 63 с. Содержит описания 14 задач по основным процессам технологии получения объемных монокристаллов полупроводников. Каждая задача предваряется перечнем уравнений, необходимых для ее решения, примером решения подобной задачи и заданием, содержащим 20 вариантов. Для студентов специализации 200.102. Пересчет...
Учебное пособие для техникумов. — М.: Металлургия, 1993. — 368 с.: ил. Изложены краткие сведения о свойствах основных материалов электронной техники: токопроводящих, диэлектриков, диффузантов и др. Главное внимание уделено спецматериалам электронной техники - полупроводникам. Рассмотрены методы подготовки основных и вспомогательных материалов полупроводникового производства,...
Учебное пособие. — Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2000. — 290 с. Учебное пособие можно условно разбить на четыре структурных единицы. Первый раздел посвящен некоторым общим вопросам материаловедения. Остальные разделы образуют три группы, каждая из которых имеет структурное содержание типа "явление ->материал ->изделие". Общие свойства материалов....
М. Знание, 1975. — 64 с. (Новое в жизни, науке, технике. Серия «Радиоэлектроника в связь», 8. Издается ежемесячно с 1966 г.) В брошюре популярно рассказано о кварцевых кристаллах и использования их в радиоэлектронике. Изложены физические основы применения кварцевого резонатора в измерительной технике, поясняются принципы построения датчиков толщины, массы и скорости роста...
М.: Высшая школа, 1986. - 208 с.
В книге приведены сведения о свойствах современных радиоматериалов и описаны основные радиокомпоненты и функциональные узлы широкого применения, частотно-избирательные узлы, микросборки, микросхемы СВЧ.
В третьем издании (2-е - 1980 г.) больше внимания уделено направлениям функциональной электроники и приборам, разрабатываемым на ее основе....
Москва: Высшая школа, 1972. — 352 с. Книга является учебным пособием по курсу «Физические основы микроэлектроники». В ней рассмотрены основные закономерности строения и роста кристаллов и тонких пленок. Изложены основы электронной теории твердого тела, а также описаны наиболее важные физические явления и эффекты в твердом теле, которыележат в основе принципа действия...
М.: Металлургия, 1992. — 392 с. Рассмотрена роль химической термодинамики в развитии технологических процессов современной микроэлектроники. Проанализированы наиболее перспективные для прогноза термодинамических свойств модели расплавов. Подробно изложены основные вопросы теории и практики компьютерного моделирования химических и фазовых равновесий в полупроводниковых системах....
Перевод с японского М.М. Богачихина и Л.Р. Зайонца. — Монография. — Москва: Энергия, 1976. — 327 с. В книге подробно описывается технология приготовления керамических диэлектриков: сегнетоэлектриков, пироэлектриков, сегнетомагнетиков и др. Предисловие к русскому изданию. Предисловие автора к русскому изданию. Керамические диэлектрики. Введение в технологию керамики...
Учебник для вузов. — 2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Высшая школа, 1987. — 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей. Для студентов...
М.: Энергия, 1978. — 280 с. В книге освещены основные вопросы материаловедения в области микроэлектроники. Рассматриваются поверхностные свойства полупроводников, металлов и диэлектриков, вопросы адсорбции на поверхности газов и паров, вопросы диффузии и приповерхностный слой примесей, в также методы нанесения и свойства пленочных материалов: проводящих, сверхпроводящих,...
М.: Энергия, 1973. - 296 с. Систематизированы сведения в области пленочного полупроводникового материаловедения на основе современных представлений физики твердою тела и физики тонких слоев. Подробно рассмотрены структура, получение, методы исследования как массивных, так и тонкопленочных полупроводников. Освещены вопросы практического применения. Для исследователей, инженеров,...
М.: Высшая школа, 1980. — 406 с. В книге излагаются основы строения материалов и физики явлений, происходящих в диэлектрических, полупроводниковых и магнитных материалах, используемых в электронной технике; рассматриваются их электрические и магнитные свойства, в том числе при повышенных и высоких частотах; приводятся физико-химические и механические характеристики, а также...
Учебник для студентов ВУЗов. — 2 изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1986. — 367 с.: ил. В книге изложены основы строения материалов и физики явлений, происходящих в проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалах, их электрические и магнитные свойства, а также сведения о технологии производства важнейших материалов и их применении. Во 2-м издании...
Учеб. для студ. вузов по спец. электронной техники. 3-е изд. — СПб.: Лань, 2001. — 368 с, ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература). В книге изложены основы строения материалов и физики явлений, происходящих в проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалах, их электрические и магнитные свойства, а также сведения о технологии производства...
Москва: ЦНИИ Электроника, 1988. — 62 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 1 (1336)). Рассмотрены экспериментальные результаты протонирования из расплавов органических кислот приповерхностных слоев и конденсированных пленок оксидов элементов II—VI групп, современные представления о разупорядоченности оксидов вблизи границ раздела и закономерности...
Учебное пособие. - М.: МГИУ, 2007. - 424 с. ISBN: 978-5-2760-1195-0 В учебном пособии рассмотрены свойства и основные методы получения наноструктур и наноструктурных материалов: фуллеренов, углеродных нанотрубок, аморфных металлических сплавов, нанокристаллических и квазикристаллических материалов. Изложены современные представления о структуре рассматриваемых веществ....
Учебное пособие. — Москва: Горячая линия - Телеком, 2005. — 352 с. В книге рассматриваются строение материалов радиоэлектронных средств, некоторые особенности их получения, а также многочисленные компоненты РЭС, работа которых основана на разнообразных физических процессах и явлениях. Предисловие. Назначение, строение и основные свойства материалов. Радиоэлектронных средств....
Москва: Металлургия, 1984. — 176 с. Впервые обобщены результаты дифракционных исследований структуры ближнего порядка широкого круга расплавленных полупроводников и полуметаллов. Для халькогенов, халькогенидов и халькогалогенидов приводятся данные о структуре в жидком и стеклообразном состояниях. Разработана классификация полупроводниковых расплавов по структурному признаку, на...
Москва: Московский авиационный институт (ГТУ), 2004. — 37. Сборник лабораторных работ предназначен для проведения занятий по курсам «Химия радиоматериалов и элементная база РЭС», «Элементная база и материалы РЭС», «Материалы электронных средств», читаемых студентам радиотехнических специальностей. В работах приводится измерение параметров полупроводниковых, диэлектрических и...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1970. — 152 с. Изложен курс лекций, прочитанный автором на факультете Полупроводниковых материалов и приборов МИСиС. Состоит из трех частей. В первых двух частях приведены методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, характеризующих процессы, обусловленные равновесной концентрацией носителей заряда n = n(T) ....
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1970. — 96 с. Изложен курс лекций, прочитанный автором на факультете Полупроводниковых материалов и приборов МИСиС. Состоит из трех частей. В первых двух частях приведены методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, характеризующих процессы, обусловленные равновесной концентрацией носителей заряда n = n(T) ....
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1973. — 128 с. Изложен курс лекций, прочитанный автором на факультете Полупроводниковых материалов и приборов МИСиС. Состоит из трех частей. В первых двух частях приведены методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, характеризующих процессы, обусловленные равновесной концентрацией носителей заряда n = n(T) ....
Москва: Наука, 1968. — 383 с. Рассматриваются физические и физико-химические свойства полупроводников PbTe, PbSe и PbS (халькогенидов свинца). Приводятся сведения о тех экспериментальных и теоретических методах исследования свойств полупроводников, которые использовались при изучении халькогенидов свинца. Даны также сведения о приготовлении образцов и практическом использовании...
Москва, БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010, 164 стр.
В учебном пособии рассматриваются физико-химические процессы получения материалов, используемых в микро-, опто- и наноэлектронике, в том числе операции выделения химического индивида из исходного сырья, очистка в виде соединений, финишное рафинирование, получение монокристаллов с заданными свойствами. Для студентов, обучающихся...
Москва: Радио и связь, 1989. — 288 с. Монография представляет первую в мировой литературе попытку аналитического рассмотрения современного состояния разработок и применений (включая перспективные) диэлектрических материалов в электронной технике. В ней описаны особые свойства диэлектриков: линейные и нелинейные диэлектрические, пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрические,...
Новосибирск. Наука, 1975. — 187 с. Настоящая работа посвящена анализу закономерностей явлений на поверхности полупроводников в высоком вакууме, при взаимодействии с активными газами и растворами. Рассматриваются процессы окисления полупроводников и явления в системе полупроводник — диэлектрик. В работе обобщается большой объем экспериментальных и теоретических работ,...
Москва: Металлургия, 1966. — 185 с. В книге рассмотрены причины, приводящие к неоднородностям в распределении состава кристаллов, выращиваемых из расплава. Дано описание различных способов борьбы за постоянство состава кристаллов — программирование параметров роста, различные варианты зонного выравнивания и непрерывной зонной плавки, методы механической и равновесной подпитки...
Москва: Металлургия, 1976. — 368 с.: ил. Описаны методы управления составом в объемных монокристаллах полупроводников. Рассмотрены единые физико-химические основы методов управления составом. Описаны не только классические приемы полупроводниковой технологии (очистка, выравнивание), но и новые методики, вошедшие в практику в последние годы. Подробно рассмотрены различные...
Москва: Металлургия, 1978. — 192 с. В книге с единых позиций рассмотрены законы распределения состава в эпитаксиальных и рекристаллизованных слоях, а также распределения состава при введении примеси в подложку при диффузионном легировании и ионной имплантации. Все описание ведется на основе теории диффузионных и кристаллизационных процессов. Математический аппарат, терминология...
Перевод с чешского Н.М. Вайсфельд под ред. Г.А. Степанова. — М.: Советское Радио, 1969. — 356 с. Книга Б. Роуса представляет собой монографию, в которой сообщаются сведения о свойствах, применении, обработках и составах стекол, используемых в электронных приборах и устройствах. Приводятся данные о свойствах стекла, принципах соединения стекол друг с другом и с иными...
М., БИНОМ. Лаборатория знаний , 2010, 186 стр.
Учебное пособие посвящено технологии получения основных компонентов микро-, опто- и наноэлектроники: металлов, легирующих элементов, диэлектрических материалов, углеродных материалов, металлоорганических соединений и вспомогательных материалов. Для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника». Полезно...
М.: Советское радио, 1972. — 384 с. Книга представляет собой учебное пособие для факультетов высших учебных заведений, готовящих специалистов по технологии специальных материалов электронной техники. Она является первой попыткой систематизированного изложения свойств, технологии и применения наиболее распространенных материалов в квантовой электронике. На основе классификации и...
М.: ДМК Пресс, 2015. — 592 с.: ил. — (Схемотехника). — ISBN: 978-5-97060-312-3. Книга написана сотрудниками компании Infineon Technologies, одного из мировых лидеров в области полупроводниковой электроники. Сборник содержит проверенные временем фундаментальные знания по полупроводникам от А (АЦП) до Z (эффект Зенера), в том числе главы по диодам и транзисторам, силовым...
Под ред. И. И. Петрова. — М.: Мир, 1964. — 408 с. Перевод с японского Л. М. Голдина и В. М. Багирова. Как известно, ферриты обладают рядом особенностей, выгодно отличающих их от металлических ферромагнетиков. К ним в первую очередь относится совмещение в одном материале свойств диэлектрика и полупроводника, что позволяет применять их в устройствах, работающих на сверхвысоких...
Пер. с англ. Т.А. Елкиной, А.В. Залесского, П.Н. Стеценко/ Под ред. Ю.П. Ирхина, И.Е. Старцевой. — М.: Издательство иностранной литературы, 1962. — 504 с.
Настоящая книга представляет собой первую в мировой научной литературе монографию, посвященную ферритам - магнитным материалам, получившим широкое практическое применение в технике.
Авторы книги - голландские физики Смит и...
Л.: Наука, 1975. — 219 с. Книга посвящена физике и вопросам технического применения магнитоупорядоченных диэлектриков. Излагаются основные теоретические представления о физике магнетизма. Рассматриваются типы магнитного упорядочения, обменные и релятивистские взаимодействия, магнитная симметрия кристаллов. Приводятся сведения о динамике магнитной решетки, характеристиках...
Москва: Металлургия, 1994. — 176 с. Книга содержит 14 задач по всем важнейшим процессам современной полупроводниковой технологии и является первым отечественным пособием такого типа. Каждая задача состоит из теоретической части, где в сжатом виде описаны основные закономерности процесса, пример решения, справочные данные и несколько вариантов расчетов. Справочный материал по...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1987. — 100 с. На базе современных положений химической термодинамики об устойчивости фазы, полной и термодинамической вариантности системы дается представление о n -мерности пространства полной диаграммы состояния, в том числе для двухкомпонентной системы. Рассматриваются важнейшие термодинамические соотношения для двухкомпонентных фазовых...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1987. — 107 с. Детально анализируется проекции и сечения P—T—x диаграммы состояния с конгруэнтно и инконгруэнтно плавящимся твердым раствором на основе полупроводникового соединения и рассматривается выбор на их основе технологии кристаллов полупроводников. Дается математическое описание линии ликвидуса в области первичной кристаллизации...
СПб.: Лань, 2016. — 378 с. — ISBN: 978-5-8114-2002-5. Рассмотрены физические процессы и явления, протекающие в активных диэлектриках и магнитных материалах в pазличных условиях их эксплуатации. Значительное внимание уделено новым перспективным материалам функциональной диэлектрической и магнитной электроники. Рассмотрены основные параметры и варианты конструктивного оформления...
Москва: ЦНИИ Электроника, 1984. — 37 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 5 (1041)). Приведены литературные данные по исследованию механизмов роста из газовой фазы эпитаксиальных слоев кремния. Рассмотрены результаты применения к решению этой проблемы методов химической кинетики гетерогенных реакций и теории роста кристаллов. Показано, что...
Монография. — Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1976. — 190 c. Обсуждаются вопросы образования различных форм роста кристаллов, образования ростовых дефектов структуры, примесных неоднородностей и габитусного профилирования. Излагаются рекомендации по совершенствованию структуры, распределению примесей и морфологии монокристаллов и эпитаксиальных слоев полупроводников....
Санкт-Петербург: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 2014. — 108 с. Содержит сведения о химическом строении и свойствах материалов молекулярной электроники, таких, как полимерные материалы (аморфные полимеры, аморфно-кристаллические полимеры, полимерные диэлектрики, полимеры с собственной проводимостью), материалы на основе аллотропных модификаций...
2-е издание, переработанное и дополненное. — Л.: Энергия, 1980. — 207 с.: ил. В книге изложены физические основы применения керамических пьезомагнитных материалов (ферритов) в электроакустике, ультразвуковой и других областях техники. Рассмотрены вопросы теории пьезомагнитных колебаний в ферритах, методы измерения их параметров, а также результаты исследования магнитных,...
М.: Высшая школа. 1990. — 423 с. ISBN: 5-06-001032-5 В книге изложены особенности протекания основных процессов (тепло- и массопередачи, химических, переработки сырьевых материалов, кристаллизации и стеклования, моделирования) при получении материалов электронной техники. Описаны технологические процессы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических материалов (в виде...
СПб.: Издательство "Лань", 2002, 424 с.
В учебнике изложены особенности протекания основных процессов (тепло- и массопередачи, химических, переработки сырьевых материалов, кристаллизации и стеклования, моделирования) при получении материалов электронной техники. Описаны технологические процессы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических материалов (в виде...
СПб.: Лань, 2002. — 424 с. Учебник для вузов. 3-е изд., стер. В учебнике изложены особенности протекания основных процессов (тепло- и массопередачи, химических, переработки сырьевых материалов, кристаллизации и стеклования, моделирования) при получении материалов электронной техники. Описаны технологические процессы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических...
Под редакцией Б.М. Тареева: Учебное пособие для студентов втузов. — М.: Высшая школа, 1978. — 336 с., ил. В книге изложены физические свойства различных классов электротехнических материалов, применяемых в радиоэлектронике, природа этих свойств, области применения материалов и технические требования к ним, свойства важнейших видов конкретных электрорадиоматериалов. В части I...
М.: Радио и связь, 1984. — 192 с. Книга представляет аналитический обзор современного состояния проблем пленочного материаловедения сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности проявления сегнетоэлектричества в тонких слоях: теория и экспериментальные исследования размерных эффектов. Подробно описаны методы получения и контроля тонких сегнетоэлектрических пленок и поверхности...
Москва; Ленинград: Государственное технико-теоретическое издательство, 1934. — 86 с. Цель этой книжки — в самых общих чертах познакомить читателя — в первую очередь рабочего-изобретателя — с основами и принципами устройства фотоэлементов и их возможными применениями. Книжка преследует только цель — рассказать возможно понятнее, «как это устроено», показать возможные направления...
Изд. 3-е, переработ. — Москва: Энергия, 1970. — 296 с. В книге рассмотрены физические параметры поверхности полупроводников и методы их определения. Большое внимание уделено обработке поверхности и происходящим при этом процессам, влиянию обработки поверхности в пазовой фазе на свойства полупроводниковых приборов и методам защиты поверхности, связанным с созданием стабильных...
М.: Металлургия, 1992. — 240 с. Впервые обобщены экспериментальные данные о состоянии и поведении амфотерных примесей в полупроводниках. Приведена классификация амфотерных примесей. Рассмотрены теория, прогнозирование состояния амфотерной примеси в элементарных полупроводниках, соединениях типа и в твердых растворах на их основе. Проанализированы термодинамические...
М.: МИСИС, 1995. — 142 с. Изложены принципы «построения» металлов и сплавов, полупроводниковых материалов, керамики и композитов. Рассмотрена их природа, реальная структура, особенности получения и основные области применения. Показана главенствующая роль дефектов твердого тела в управлении свойствами материалов. Наряду с общими сведениями рассматриваются перспективные проблемы...
Москва: Издательство иностранной литературы, 1965. — 416 с. Книга представляет собой первую и пока единственную попытку глубокого и систематического изложения теоретических основ химии твердого тела и их приложений к большому числу физико-химических и химических процессов, происходящих в объеме и на поверхности твердых тел. Изложена теория ионного и электронного разупорядочения...
Москва: Иностранная литература, 1962. — 668 с. Книга, изданная Американским химическим обществом под редакцией крупного американского специалиста Хеннея, посвящена проблемам химии и физической химии полупроводников, по которым до настоящего времени имеется очень мало фундаментальных трудов, как отечественных, так и зарубежных. Книга предназначена для широкого круга научных...
Москва: Издательство иностранной литературы, 1963. — 323 с. Описание основных свойств полупроводниковых соединений типа А III В V дано в сборнике «Полупроводники» под редакцией И. Б. Хеннея (ИЛ, 1962). Кроме того, ряд вопросов, касающихся этих полупроводников, освещен в сборнике «Новые полупроводниковые материалы» (ИЛ, 1958). Однако, несмотря на большое число публикуемых работ,...
Москва: Наука, 1978. — 78 с. В книге приводятся сведения об элементарном полупроводнике — боре. Сообщаются основные данные о методах получения, структуре, термодинамических, термических, электрических, магнитных, оптических и механических свойствах бора. Книга рассчитана на научных работников и инженеров, работающих в области исследования, получения и применения полупроводников.
М.: Наука, 1978. — 78 с. В книге приводятся сведения об элементарном полупроводнике — боре. Сообщаются основные данные о методах получения, структуре, термодинамических, термических, электрических, магнитных, оптических и механических свойствах бора. Книга рассчитана на научных работников и инженеров, работающих в области исследования, получения и применения полупроводников....
Москва: Наука, 1966. — 128 с. В литературе, кроме терминов «жидкие кристаллы», «текучие кристаллы», «мезоморфное состояние» (смектическое и нематическое), встречаются и другие названия: «анизотропные жидкости», «паракристаллы». Но наиболее употребляемыми оказались термины «смектические жидкие кристаллы» и «нематические жидкие кристаллы». Эта терминология используется и в нашей...
Навчальний посібник. Запоріжжя, ЗДІА, 2011. - 278 с. ISBN: 978-966-8462-47-4 Викладені фізичні принципи, що обумовлюють властивості провідникових, напівпровідникових, діелектричних та магнітних матеріалів електроніки, їхнє застосування в сучасних електронних приладах, а також параметри і характеристики основних пасивних компонентів електроніки. Розглянуті як традиційні...
Навчальний посібник. Запоріжжя, Видавництво ЗДІА, 2008. - 380 с. ISBN: 978-966-7101-90-9 Викладаються фізичні принципи, що обумовлюють ті чи інші властивості провідникових, напівпровідникових, діелектричних та магнітних матеріалів електронної техніки та їхнє застосування в сучасних електронних приладах. Розглянуті як традиційні матеріали для вакуумних, твердотілих і...
М. - Л.: Энергия, 1966. — 259 с.
В книге рассмотрены основные параметры, характеризующие качество низкокоэрцетивных ферритов; описаны методы определения этих параметров; изложены физико-химические основы технологических процессов изготовления магнитомягких ферритов; приведены электромагнитные свойства ферритов никель-цинковой и марганец-цинковой систем.
Книга предназначена для...
Москва: Мир, 1975. — 688 с. Исключительное значение диффузии в технологических процессах для изучения поведения примесей и дефектов в кристаллах определяет все возрастающий интерес к ней в последние годы. Эта книга обобщает результаты исследования разных проблем диффузии в полупроводниках. Помимо экспериментальных данных, относящихся к различным полупроводникам, в ней большое...
Учебник для радиотехнических специальностей вузов. Художник В.М. Лукьянов. — М.: Высшая школа, 1970. — 400 с. с илл. Книга состоит из трех частей: химия, радиотехнические материалы, радиодетали. В учебнике рассматриваются теория химической связи и электрических свойств молекул, понятие о высокомолекулярных соединениях в процессах полимеризации и поликонденсации,...
Я думаю что стоит. Хотя конечно разделы связанные. В разделе приборостроение собраны книги по электронике и логично что книги по материалом для электроники будут находится здесь, а не в топливно-энергетическом комплексе. тем более, что существует соответсвующая дисциплина в ВУЗах. Вот учебные пособия и конспекты лекций по ней: /file/292985/ - Гатчин Ю.А., Ткалич В.Л. и др. Материалы электронных средств /file/563822/ - Негоденко О.Н., Мирошниченко С.П. Материалы электронной техники /file/84546/ - Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники /file/426198/ - Плотянская М.А., Киршина И.А., Филонов О.М. Материаловедение и материалы электронной техники /file/586835/ - Постникова В.Н., Кузнецов С.Н. Лабораторные работы по курсу материалы электронных средств /file/286203/ - Постникова В.Н., Кузнецов С.Н., Каширин Ю.В. Лабораторные работы по курсу Материалы РЭС (часть 1) /file/43598/ - Самохвалов М.К. Материаловедение и материалы электронной аппарутуры (конспект лекций)
Комментарии
Стоит ли держать его? Или хотя бы добавить перекрестные ссылки.
"Электротехнические материалы" - для электротехнических и электронщиков.
/file/292985/ - Гатчин Ю.А., Ткалич В.Л. и др. Материалы электронных средств
/file/563822/ - Негоденко О.Н., Мирошниченко С.П. Материалы электронной техники
/file/84546/ - Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники
/file/426198/ - Плотянская М.А., Киршина И.А., Филонов О.М. Материаловедение и материалы электронной техники
/file/586835/ - Постникова В.Н., Кузнецов С.Н. Лабораторные работы по курсу материалы электронных средств
/file/286203/ - Постникова В.Н., Кузнецов С.Н., Каширин Ю.В. Лабораторные работы по курсу Материалы РЭС (часть 1)
/file/43598/ - Самохвалов М.К. Материаловедение и материалы электронной аппарутуры (конспект лекций)