Учебник для студентов технических вузов. — Бишкек: Полиграфбумресурсы, 2010. — 252 с. — ISBN 987-9967-25-901-0. В учебнике рассмотрены физические основы современной электроники: теории электрических, магнитных, электромагнитных и оптических явлений; элементы зонной теории, различные физические эффекты и явления, жидкие кристаллы и оптические волокна, которые служат основой...
2nd edition. — Springer, 2023. — 1408 p. This handbook gives a complete and detailed survey of the field of semiconductor physics. It addresses every fundamental principle, the most important research topics and results, as well as conventional and emerging new areas of application. Additionally it provides all essential reference material on crystalline bulk, low-dimensional,...
Учебное пособие для студентов ВУЗов специальностей электронной техники. — М.: Высшая школа, 1984. — 320 с.: ил. В книге изложены физические основы взаимодействия ионов и электронов с веществом; рассмотрены возможности применения этих процессов в технологии изготовления приборов, интегральных микросхем на основе полупроводниковых и пленочных материалов и др. Содержание. Основные...
Wiley-ISTE, 2023. — 279 p. Defects play a key role in the physical properties of semiconductors and devices, and their identification is essential in assessing the reliability of electronic devices. Defects in Organic Semiconductors and Devices introduces the fundamental aspects of defects in organic semiconductors and devices in relation to the structure of materials and...
Springer, 2023. — 192 p. This book highlights advances in the field of THz engineering along with limitations of radio frequency (RF) technology. All engineering applications have been designed to operate over a specific frequency or wavelength range in electromagnetic spectrum. In recent years, the unexplored domain of THz range of electromagnetic spectrum has paved the way...
Москва: Издательство иностранной литературы, 1950. — 195 с. Книга является переводом большого обзора из журнала "Ревьюс оф Модерн Физикс", посвященного подробному рассмотрению теории термоэлектронной эмиссии чистых металлов и сопоставлению теоретических результатов с экспериментальными данными. Изучение термоэлектронной эмиссии играет важную роль в разработке и применениях...
2nd Edition. — Wiley-IEEE Press, 2022. — 655 p. — ISBN 978-1119674641. Discover a cutting-edge discussion of the design process for power magnetic devices. In the newly revised second edition of Power Magnetic Devices: A Multi-Objective Design Approach, accomplished engineer and author Dr. Scott D. Sudhoff delivers a thorough exploration of the design principles of power...
Учебное пособие. — Москва; Вологда: Инфра-Инженерия, 2021. — 231 с.: ил., табл., схем., граф. — ISBN 978-5-9729-0711-3. Рассматриваются физические основы функционирования современных полупроводниковых приборов. Даны общие сведения о полупроводниковых приборах группы диодов и биполярных транзисторах. Рассмотрены элементы кристаллографии, атомной и квантовой физики. Приведена...
Учебное пособие. — Екатеринбург: УрФУ, 2011. — 105 с. — ISBN 978-5-321-01917-7. Предназначено для студентов специальности «Электронное машиностроение» изучающих курс «Физические основы электронной техники». Целью пособия является формирование у студентов теоретического представления об основных закономерностях и физических процессах, происходящих в полупроводниках и...
Учебное пособие. — Куйбышев: Куйбышевский государственный университет, 1974. — 161 с. В предлагаемом учебном пособии рассмотрены такие разделы, как элементы квантовой механики и статистической физики, основы физики твердого тела , тонкие пленки, которые необходимы при изучении курса физических основ микроэлектроники и могут быть полезными для студентов университета по...
Москва: Наука, 1966. — 564 с. В научной литературе нет книг, охватывающих все вопросы эмиссионной электроники на достаточно современном уровне. В то же время потребность в такой монографии ощущают многие специалисты, работающие в области физической и технической электроники. С момента выхода в 1950 г. книги проф. Л. Н. Добрецова «Электронная и ионная эмиссия» появились и...
Reverté, 1970. — 264 p. — ISBN10: 8429134425. Dispositivos semiconductores de unión Introducción Diodos de unión Transistores de unión Funcionamiento físico de los diodos de unión pn El diodo de unión pn abrupta Unión pn en equilibrio Barrera de potencial en el equilibrio Capa de carga espacial y regiones neutras Efecto de una tensión de polarización en la unión pn Variaciones...
Государственное военное издательство, 1931. - 112 с. Пособие для техников воздушного флота. Устройство, обслуживание и принцип работы генераторов, магнето, аккумуляторов, свечей зажигания.
Ташкент: Изд-во ФАН Узбекской ССР, 1974. — 376 с. В первом разделе книги представлены работы в области физической электроники. Исследуются вопросы поверхностной ионизации, адсорбции, десорбции, вторичной ионной и электронной эмиссии и поверхностных реакций с тугоплавкими материалами. Во втором разделе приводятся экспериментальные результаты исследования физических и...
Учебное пособие. — М.: МАДИ, 2015. — 188 с.: ил. — ISBN: 978-5-7962-0176-3. Пособие содержит сведения о физических свойствах и кристаллической решетке полупроводниковых материалов, о зонной теории, а также сведения о принципах создания и работы основных типов полупроводниковых приборов. Кратко изложена история изучения полупроводниковых материалов и этапы их практического...
Л.: ЛПИ, 1988. — 68 с. В первом разделе пособия излагаются физические основы акустоэлектроники. Рассматриваются свойства поверхностных акустических волн в пьезокристаллах, способы их возбуждения и приема. Описываются принципы функционирования различных элементов и устройств на поверхностных акустических волнах, обсуждаются вопросы их применения в радиофизике и электронике. Во...
М.: Радио и связь, 1988. — 272 с. Рассматриваются устройство, характеристики, параметры и области применения электронных приборов. Приводятся элементы расчета схем, а также электрические схемы цифровых и аналоговых вычислительных устройств, используемых в системах автоматики. Излагаются основы микропроцессорной базы, ее состав, характеристики и области применения. Описываются...
Москва: Энергия, 1977. – 608 с. Книга представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших экспериментально установленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение важнейших физических идей, выдвинутых в этой области...
М.; Л.: Госэнергоиздат, 1962. — 192 с. Книга содержит систематическое изложение основ теория устойчивости активных цепей, обоснование тех предпосылок, которые используются при определения устойчивости цепей с усилительными приборами новых типов, исследование условий их применимости. Подробно рассмотрены уравнения активных цепей, содержащих частотно-зависимые (управляемые...
Учебное пособие. — Екатеринбург: УрФУ, 2011. — 105 с. — ISBN: 978-5-321-01917-7. Предназначено для студентов специальности «Электронное машиностроение» изучающих курс «Физические основы электронной техники». Целью пособия является формирование у студентов теоретического представления об основных закономерностях и физических процессах, происходящих в полупроводниках и...
М.: Атомиздат, 1971. — 120 с. В книге рассмотрено влияние ионизирующих излучений на электрофизические характеристики материалов, используемых для изготовления радиодеталей. Основное внимание уделяется теоретическим и экспериментальным исследованиям характера изменения параметров материалов в условиях импульсного и непрерывного y- и нейтронного излучений. Приведены результаты...
2nd edition. — New York: Springer, 2017. — 935 p. This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical concepts, while keeping the internal coherence of the analysis and explaining...
Беляев А.Е., Бессолов В.Н., Болтовец Н.С., Жиляев Ю.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кучук А.В., Саченко А.В., Шеремет В.Н. — Киев: Наукова Думка, 2016. — 258 с. В монографии систематизированы и обобщены результаты по особенностям технологии объёмных нитридгаллиевых слоев на сапфировых и карбидкремниевых подложках, физико-технологических, модельных и теоретических исследований...
Boca Raton: CRC Pres, 2017. — 545 p. The primary focus of this book is on basic device concepts, memory cell design, and process technology integration. The first part provides in-depth coverage of conventional nonvolatile memory devices, stack structures from device physics, historical perspectives, and identifies limitations of conventional devices. The second part reviews...
Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 496 с. В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. Рассмотрены перспективы совершенствования технологии и фундаментальные ограничения на дальнейшее развитие...
М.: Физматлит, 2008. — 488 с. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов...
СПб.: Лань, 2013. — 368 с. В пособии приводятся элементарные сведения из физики твердого тела и физики поверхности, необходимые для понимания процессов взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. Подробно рассматриваются механизмы термоэлектронной эмиссии, эмиссии электронов, вызываемой наличием сильных электрических полей, фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссии,...
New York: Springer, 2017. — 257 p. This book describes a new type of passive electronic components, called fractal elements, from a theoretical and practical point of view. The authors discuss in detail the physical implementation and design of fractal devices for application in fractional-order signal processing and systems. The concepts of fractals and fractal signals are...
Перевод с англ. — Под ред. Ю.В. Гуляева — М.: Советское радио, 1979. — 232 с. Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области...
New York: Springer, 2016. — VII, 235 p. — ISBN: 978-981-10-0724-8. Presents the multidisciplinary approach that is instrumental to fully understand the field of single-molecule electronics; Discusses state-of-the-art topics including single-molecule spectro-electrical methods, electrochemical DNA sequencing technology, and single-molecule chemical reactions; Appeals to a broad...
Под ред. А.Н. Выставкина. — Москва: Издательство иностранной литературы, 1963. — 352 с. В книге с единой точки зрения — теории связанных колебаний — рассмотрен широкий класс радиоэлектронных устройств, таких, как лампы бегущей и обратной волны, и близких к ним приборов, а также новых параметрических усилителей и генераторов на полупроводниковых диодах, ферритах и электронных...
М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1972. — 320 с. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi 2 Te 3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое внимание уделено общим вопросам...
Москва, государственное издательство физико-математической литературы, 1960 год, 516 страниц Книга разделена на две части. В первой части излагаются физические основы электроники, т. е. описание и теория явлений, имеющих важное значение для работы электровакуумных и полупроводниковых приборов. Вторая часть содержит физические основы действия электровакуумных и полупроводниковых...
Москва: Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1954. — 464 с. Предлагаемая читателю книга написана как учебник, соответствующий курсу «Электроника» на радиофизическом отделении университета, и содержит изложение лекций, читаемых в течение ряда лет её автором, с дополнениями, соответствующими современному состоянию электроники. В соответствии с программой...
Учебное пособие для вузов. — Томск: Томский государственный университет, 2010. — 288 с.
В пособии изложены физико-технические основы электроники.
Предназначено для студентов, аспирантов, инженеров, научных работников специализирующие в области физической электроники, радиофизики.
Электроны в металлах и полупроводниках.
Введение твердотельную эмиссионную электронику.
ТЭЭ....
Киев : Наук, думка, 1985.— 304 с. В монографии дан обзор результатов работ по основным направлениям фундаментальных и прикладных исследований, проводимых в Институте полупроводников АН УССР. Значительное внимание уделено исследованиям, положившим начало новым направлениям в теории полупроводников, оптике и радиоспектроскопии полупроводников, физике неравновесных явлений в...
Издательство: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований-2009г.
В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и квантовой статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твёрдотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых...
3rd ed. — New York: McGraw-Hill Higher Education, 2003. — 565 р. Deals with the electrical properties and characteristics of semiconductor materials and devices. The goal of this book is to bring together quantum mechanics, the quantum theory of solids, semiconductor material physics, and semiconductor device physics in a clear and understandable way. Prologue Semiconductor and...
М.: Радио и связь, 1988. — 184 с. В этой книжке рассказывается об ученых и изобретателях, в честь которых названы единицы физических величин, используемых в технике электросвязи. В популярной форме поясняется смысл единиц физических величин, используемых в технике электросвязи, приводятся примеры их применения, сообщаются краткие сведения об ученых и изобретателях, в честь...
Монография / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. - М.: Энергоатомиздат, 2011.- 175 с. ил.
Скан 600 dpi + OCR
В книге рассмотрено современное состояние и перспективы развития нового поколения устройств приема, обработки и хранения информации на основе интеграции сегнетоэлектрических материалов с технологиями современной микроэлектроники.
Книга содержит анализ перспективных...
М. - Энергия, 1972 г., 528 стр.
В книге рассмотрены не только приборы дугового несамостоятельного и самостоятельного разрядов, но и все разновидности приборов тлеющего разряда. Рассмотрены общие закономерности, на которых базируются физические свойства и характеристики рассмотренных классов приборов.
Книга рассчитана на использование ее в качестве учебного пособия на...
М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012.— 352 с. Скан 600 dpi + OCR
Изучение нелинейных явлений в многокомпонентных гетерогенных системах, находящихся в аморфном, нано- и микрокристаллическом состояниях, способствует установлению физической природы многих происходящих в них явлений и совершенствованию существующих теоретических положений, а следовательно, и разработке новых...
Учебное пособие. – изд. 2, испр. и доп. – М.: Советское радио, 1969. – 592 с. Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные...
М.: Радио и связь, 1994. — 164 с.
Приведены результаты исследований по выявлению и изучению особенностей радиационного поведения КМОП интегральных схем. Дан анализ радиационных эффектов в базовых структурах ИС основных КМОП технологий при воздействии стационарных и импульсных ионизирующих излучений. Рассмотрены различные механизмы отказов.
Рекомендовано для специалистов в...
Учеб. пособие. — СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1999. — 64 с. Содержит основные формулы, графики, энергетические диаграммы, схемы и рисунки структур основных полупроводниковых приборов, элементов и компонентов интегральных микросхем. Пособие является своеобразным приложением и добавлением нового материала к учебнику «Полупроводниковые приборы» (Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые...
Под ред. Т.М. Агаханяна. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 256 с. — ISBN: 5-283-02963-8. Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного "защелкивания", радиационно-индуцированного...
Учебное пособие для вузов. М., "Связь", 1973. -360 с. с ил.
Дана классификация электронных приборов, рассмотрены конструкции, физика работы и характеристика электронных ламп, полупроводниковых, электронно-лучевых, ионных и фотоэлектрических приборов. Рассмотрены вопросы миниатюризации, микроминиатюризации, надежности и дальнейшего усовершенствования электронных и...
N-Y., McGraw-Hill, 1995, 677 p.
Semiconductor devices, the basic components of integrated circuits, are responsible for the rapid growth of the electronics industry over the past fifty years. Because there is a growing need for faster and more complex systems for the information age, existing semiconductor devices are constantly being studied for improvement, and new ones are...
Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с. Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электронной и ионной эмиссии изложены в едином методическом стиле...
М.: Атомиздат, 1977. — 176 с.
Рассмотрены процессы взаимодействия ионизирующего излучения с ионно-электронной системой металлических твердых тел, связь радиационного дефектообразования с локальными искажениями электронных состояний, процессы радиационно-стимулированной диффузии в гетерогенных системах, электронные свойства радиационных дефектов и изменение физических свойств на...
М.: Атомиздат, 1972. — 148 с.
Появление атомной энергетики явилось стимулом развития новой отрасли физики твердого тела — физике радиационного повреждения и ее практическому применению — атомному материаловедению.
Многочисленные теоретические и экспериментальные работы в области радиационного материаловедения позволяют сделать вывод, что большинство процессов, протекающих в...
М.: Советское радио, 1976. - 320 с.
Рассмотрены вопросы теории и практики надежности интегральных схем (ИС). Обобщаются опубликованные в периодической литературе результаты физических исследований внезапных и постепенных отказов элементов гибридных тонкопленочных (ТП) ИС и полупроводниковых ИС, созданных на основе кремния. Приведены способы обеспечения и повышения надежности....
Учебное пособие. — СПб.: СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002. — 56 с. — ISBN 5-7629-0474-1. Рассмотрены основные понятия и закономерности в области электродных явлений и мембранного транспорта, а также принципы работы и конструкции сенсоров на основе МДП-транзисторов. Рекомендуется студентам, обучающимся по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и магистрантам...
Учебник. — Бишкек: Полиграфбумресурсы, 2010. — 252 с. — ISBN 987-9967-25-901-0. Рассмотрены физические основы современной электроники: теории электрических, магнитных, электромагнитных и оптических явлений; элементы зонной теории, различные физические эффекты и явления, жидкие кристаллы и оптические волокна, которые служат основой современных электронно-оптических приборов и...
Под ред. Д. В.3ернова. М.: Государственное издательство физико-математический литературы, 1958. 274 с.
В книге собраны и обобщены результаты теоретических и экспериментальных работ в области звтоэлектронной эмиссии. Для инженеров и научных работников, занимающихся электроникой, а также будет полезна для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в этой области....
М.: Физический факультет МГУ, 2000. — 164 с. В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и...
М. Наука. 1985. 233 с.
Теория явлений переноса и методы их исследования в полупроводниковых пленках
Влияние технологии получения пленок термоэлектрических материалов на их свойства
Исследование электро- и теплофизических свойств термоэлектрических пленок
Пленочные термобатареи и их использование в метрологии
Под ред. Е. А. Ладыгина. — М.: Советское Радио, 1980. — 224 с. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники. Оглавление Введение Виды,...
Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с.
ISBN5-88151-173-5
Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и...
М.: Советское радио, 1973. — 228 с. Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах: лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые, фликкерные, взрывные шумы и шумы токораспределения этих приборов. Книга предназначена для...
Монография. — Минск: Наука и техника, 1986. — 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как...
М.: Академия, 2008. — 400 с. Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники: получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы...
М.: Советское радио, 1975. — 288 с.
Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света....
Учебное пособие для втузов. — В 9 книгах. — Под редакцией Л.А. Коледова. — Москва: Высшая школа, 1987. — 168 с.: ил. В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделии полупроводниковой микроэлектроники. Изложены принципы работы базовых полупроводниковых приборов. Предисловие редактора. Предисловие к книге 1. Введение. Основы физики...
М.: Мир, 1991. — 504 с. Книга авторов из Великобритании представляет собой тщательно обработанный текст лекций по физическим основам твердотельной электроники, читаемых на инженерном отделении Оксфордского университета (перевод с 4-го издания). Методически продуманно излагаются принципы построения полупроводниковых приборов, основы оптоэлектроники, квантовой электроники,...
СПб.: Лань, 2001. — 272 с.
Современная электроника как научно-техническое направление имеет дело с исследованием и техническим применением физических явлений в материальны средах с заряженными частицами - в вакууме, плазме и твердом теле для создания разнообразных электронных приборов и устройств.
Изучение физических закономерностей, положенных в основу принципа действия...
М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1990 (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — 216 с. — ISBN 5-02-014023-6. Рассмотрены процессы образования дефектов в кристаллическом кремнии. Дан анализ микроструктуры дефектов, приведены сведения об энергетическом спектре локальных электронных состояний, связанных с различными типами дефектов объеме и...
Перевод с испанского С. И. Баскакова. Под редакцией проф. В. А. Терехва. Издательство "Высшая школа" 1991. 352 страницы. В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы интегральной...
М.: Физматлит, 2006. — 424 c. В книге изложены основные физические явления и закономерности, лежащие в основе технологических методов и процессов, используемых в производстве современных электронных приборов и интегральных микросхем. Изложение материала построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления путем...
Учебник для вузов. — М.: Высшая школа, 1972. — 636 с.
Издание поможет студенту не только усвоить и оперативно повторить учебный материал перед сдачей зачета и экзамена, но и качественно подготовиться к семинарским занятиям, на- писать курсовую и дипломную работу. Содержание учебно-методического комплекса полностью соответствует требованиям государственного образовательного...
М.: Советское радио, 1971. — 376 с. В книге рассмотрены: элементы квантовой механики и статистической физики; основы физики твердого тела, контактные и поверхностные явления в твердом теле, необходимые при изучении курса микроэлектроники. Книга является учебным пособием по курсу Физические основы микроэлектроники, предназначенным для студентов специальности Конструирование и...
Комментарии