Newark: Wiley-IEEE, 2016. — 426 p. Examines the history, basic structure, and processes of NAND flash memory This book discusses basic and advanced NAND flash memory technologies, including the principle of NAND flash, memory cell technologies, multi-bits cell technologies, scaling challenges of memory cell, reliability, and 3-dimensional cell as the future technology. Chapter...
Книга посвящена вопросам проектирования аналоговых СВЧ монолитных схем и устройств. (на англ. языке). Изд-во - Wiley-Int. 2003. - p. 906, ISBN 0-471-20755-1 Transmission Lines and Lumped Elements. Resonators. Impedance Transformation Techniques. Hybrids and Couplers. Filters. Active Devices. Passive Devices. Oscillators. Amplifiers. Detectors and Mixers. Microwave Control...
Boston: Artech House. – 2003. – 508 p. During the last decade, stimulated by unprecedented growth in the wireless communication application, outstanding progress has been made in the development of low-cost solutions for front-end RF and microwave systems. Lumped elements such as inductors, capacitors, and resistors have played a vital role in the development of such low-cost...
2nd Edition. — Artech House, 2003. — 593 p. — ISBN 978-1-63081-932-3. Fully updated and including entirely new chapters, this Second Edition provides in-depth coverage of the different types of RF and microwave circuit elements, including inductors, capacitors, resistors, transformers, via holes, airbridges, and crossovers. Featuring extensive formulas for lumped elements,...
CRC PressTaylor & Francis Group, 2012. — 236 p. — ISBN13: 978-1-4398-1715-5. Because of the continuous evolution of integrated circuit manufacturing (ICM) and design for manufacturability (DfM), most books on the subject are obsolete before they even go to press. That's why the field requires a reference that takes the focus off of numbers and concentrates more on larger...
Springer, 2024. — 305 p. This book examines in detail how a semiconductor device is designed and fabricated to satisfy best the requirements of the target application. The author presents and explains both basic and state-of-art semiconductor industry standards used in large/small signal equivalent circuit models for semiconductor devices that electronics engineers routinely...
Springer, 2024. — 305 p. — (Synthesis Lectures on Engineering, Science, and Technology). — ISBN 978-3-031-45749-4. Полупроводниковые устройства: диоды, транзисторы, солнечные элементы, устройства с зарядовой связью и твердотельные лазеры. This book examines in detail how a semiconductor device is designed and fabricated to satisfy best the requirements of the target...
3rd Edition. — CRC Press, 2016. — 466 p. — (Series in Plasma Physics). — ISBN13: 9781482260601. This third edition has the following revisions compared to the second edition published in 2007: Every chapter has been significantly updated. The chapter previously called Ultrawideband Systems is titled Beamless Systems and includes nonlinear transmission lines. Chapter 10 now...
Springer, 2019. — 700 p. — (Lecture Notes in Electrical Engineering). — ISBN 978-981-13-3003-2. The book discusses active devices and circuits for microwave communications. It begins with the basics of device physics and then explores the design of microwave communication systems including analysis and the implementation of different circuits. In addition to classic topics in...
Springer, 2010. - 130 p. - The book describes the basic principles that relate to field and current inhomogeneities in semiconductors and their kinetics that occur in the regime of negative differential conductances of semiconductors. The book presents the related theory and experiment. It proceeds to give for the first time the experimental methods to observe directly these...
Imperial College Press, 2013. — 299 p. — ISBN: 978-1-84816-799-5. The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on...
Tulsa: PennWell Corp., 2008. — 180 p. Chip Design for Non-Designers: An Introduction provides a practical introduction to modern chip design methodologies. It is intended for manufacturing-oriented and other non-design professionals with an t in the pre-tape-out design side. The book concentrates on functional, logic, circuit, and layout design using state-of-the-art methods...
World Scientific, 1991. — 1014 p. — ISBN 9810206372.
This is perhaps the most comprehensive undergraduate textbook on the fundamental aspects of solid state electronics. It presents basic and state-of-the-art topics on materials physics, device physics, and basic circuit building blocks not covered by existing textbooks on the subject. Each topic is introduced with a historical...
World Scientific, 1991. — 1014 p. — ISBN 9810206372.
This is perhaps the most comprehensive undergraduate textbook on the fundamental aspects of solid state electronics. It presents basic and state-of-the-art topics on materials physics, device physics, and basic circuit building blocks not covered by existing textbooks on the subject. Each topic is introduced with a historical...
CRC Press. 2008. -260 p. ISBN: 978-1-4200-6687-6 Книга посвящена вопросам технологии SiGe HBT BiCMOS для аналоговых интегральных схем СВЧ диапазона. Приведено описание технологий известных зарубежных фирм. The Big Picture Brief History of the Field Overview: Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology Device Structures and BiCMOS Integration SiGe HBTs on CMOS-Compatible SOI...
New York: Springer, 2019. — This book brings together recent research by scientists and device engineers working on both aggressively-scaled conventional transistors as well as unconventional high-frequency device concepts in the III-N material system. Device concepts for mm-wave to THz operation based on deeply-scaled HEMTs, as well as distributed device designs based on...
Wiley - 2015, - 260 p. ISBN: 978-1-118-92152-4 Книга посвящена вопросам моделирования и применения гетероструктурных биполярных транзисторов (SiGe HBT) при построении твердотельных интегральных схем (на англ. языке) Basic Concept of Microwave Device Modeling Modeling and Parameter Extraction Methods of Bipolar Junction Transistor Small-Signal Modeling and Parameter Extraction...
Wiley, 2010. - 249 p. - Sunlight readable transflective liquid crystal displays, used on devices from cell phones and portable media players, to GPS and even some desktop monitors, have become indispensable in our day-to-day lives. Transflective Liquid Crystal Displays is a methodical examination of this display technology, providing a useful reference to the fundamentals of the...
New York: McGraw-Hill, 2017. — 560 p. Thoroughly Revised, State-of-the-Art Semiconductor Design, Manufacturing, and Operations Information Written by 70 international experts and reviewed by a seasoned technical advisory board, this fully updated resource clearly explains the cutting-edge processes used in the design and fabrication of IC chips, MEMS, sensors, and other electronic...
New York: McGraw-Hill, 2017. — 560 p. Thoroughly Revised, State-of-the-Art Semiconductor Design, Manufacturing, and Operations Information Written by 70 international experts and reviewed by a seasoned technical advisory board, this fully updated resource clearly explains the cutting-edge processes used in the design and fabrication of IC chips, MEMS, sensors, and other electronic...
New York: Springer, 2016. — 235 p. — (Lecture Notes in Electrical Engineering. Volume 265). This book brings together a selection of the best papers from the fifteenth edition of the Forum on specification and Design Languages Conference (FDL), which was held in September 2012 at Vienna University of Technology, Vienna, Austria. FDL is a well-established international forum...
InTech. 2011. 222 p. Following the targeted word direction of Opto- and Nanoelectronics, the field of science and technology related to the development of new display technology and organic materials based on liquid crystals ones is meeting the task of replacing volume inorganic electro-optical matrices and devices. An important way in this direction is the study of promising...
New York: John Wiley & Sons, 2015. — 305 p. Written for scientists, researchers, and engineers, Non-volatile Memories describes the recent research and implementations in relation to the design of a new generation of non-volatile electronic memories. The objective is to replace existing memories (DRAM, SRAM, EEPROM, Flash, etc.) with a universal memory model likely to reach...
Springer, 2021. — 438 p. — ISBN-13 9789811569128. This book offers a balanced and comprehensive guide to the core principles, fundamental properties, experimental approaches, and state-of-the-art applications of two major groups of emerging non-volatile memory technologies, i.e. spintronics-based devices as well as resistive switching devices, also known as Resistive Random...
2nd edition. — Springer Science+Business Media, 2006. — 697 p. — ISBN: 0-387-28893-7. Semiconductor Physical Electronics, Second Edition, provides comprehensive coverage of fundamental semiconductor physics that is essential to an understanding of the physical and operational principles of a wide variety of semiconductor electronic and optoelectronic devices. This text presents...
Now Publishers Inc., 2007 — 151 p. Statistical Performance Modeling and Optimization reviews various statistical methodologies that have been recently developed to model, analyze and optimize performance variations at both transistor level and system level in integrated circuit (IC) design. The following topics are discussed in detail: sources of process variations, variation...
3rd edition. — New York: John Wiley & Sons, 2022. — 636 p. This book presents an up-to-date view of modern LCD technology. Offering balanced coverage of all major aspects of the field, this comprehensive volume provides the theoretical and practical information required for the development and manufacture of high-performance, energy-efficient LCDs. The third edition...
New York: The Technical Education Press, 2000. — 482 p. The book begins with a review of dc and ac circuits and then introduces solid state diodes. Included are general purpose diodes, zeners, LEDs, varactors and Schottkys. The biasing of NPN and PNP transistors includes base biasing, collector-feedback biasing, universal biasing, and two-power-supply biasing. The field effect...
Steve Marsh Practical MMIC Design . -Artech House. -2006. -p. 356. ISBN: 1-59693-036-5 Component Technology and Foundry Choice Foundry Use and Economics Simulation and Component Models Design Layout Processing Technology Test Книга посвящена вопросам проектирования СВЧ монолитных интегральных схем. Содержит примеры топологий МИС СВЧ различного типа.
Boca Raton, USA: Taylor & Francis Group, LLC, 2015. — 388 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN: 1482220032. Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices, and Technology offers a balanced perspective on the state of the art in gallium nitride technology. A semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes, GaN can serve as a great alternative to existing devices...
Springer, 2023. — 346 p. — ISBN 978-3-031-26891-5. This book will provide readers with a good overview of some of most recent advances in the field of technology for perovskite materials. There will be a good mixture of general chapters in both technology and applications in opto-electronics, Xray detection and emerging transistor structures. The book will have an in-depth...
Woodhead Publishing, 2014. — 532 p. — eBook ISBN: 9780857098092 Non-volatile memory retains its data when the power supply is removed and is thus invaluable for data storage. However, new solutions are needed for future development because solid-state non-volatile memory (flash), while useful, is limited. This book presents a systematic overview of the emerging technologies...
2nd Edition. — Woodhead Publishing, 2019. — 645 p. — (Electronic and Optical Materials). — ISBN: 978-0-08-102584-0. This book, Second Edition, addresses recent developments in the non-volatile memory spectrum, from fundamental understanding, to technological aspects. The book provides up-to-date information on the current memory technologies as related by leading experts in...
Cambridge University Press, 2017. — 246 p. — ISBN10: 1107157595. This book covers in-depth discussion of design principles, synthesis and thermal behavior of all types of liquid crystal (LC) dimers. The text presents recent advances in the field of LC dimers consisting of different mesogenic units such as calamitic, discotic and bent-core molecules. It starts with a chapter on...
Cambridge University Press, 2011. — 470 p. Written from an engineering standpoint, this book provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors. A wealth of applications, illustrations and examples connect the methods described to all the latest issues in...
Springer, 2008. — XXIX, 470 p. — ISBN 978-3-540-71892-5. Gallium Nitride Electronics covers developments in III-N semiconductor-based electronics with a focus on high-power and high-speed RF applications. Material properties of III-N semiconductors and substrates; the state-of-the-art of devices and circuits, epitaxial growth, device technology, modelling and characterization;...
2nd edition. — The Institution of Engineering and Technology, 2011. — 582 p. — ISBN: 978-0852967867. RFIC and MMIC technology provides the core components for many microwave and millimetre-wave communications, radar and sensing systems. Recent years have seen exciting developments, such as circuits operating to over 200 GHz, millimetre-wave micromachined antenna arrays and...
Bentham Books, 2023. — 407 p. — ISBN 978-981-5079-88-3. Solid State & Microelectronics Technology is a comprehensive textbook designed for courses in solid state device physics as part of electronics / electrical engineering and IT courses. The book has two main objectives aimed at students and the future engineer: 1) to deliver knowledge of quantum physics and 2) to...
Bentham Books, 2023. — 409 p. Preface Fundamentals of Semiconductor Physics Fundamentals of p – n Junction Metal Semiconductor Contacts Schottky Diodes Junction Field Effect Transistor Metal Oxide Field Effect Transistor (MOSFET) Semiconductor Devices Silicon Oxidation Diffusion Ion Implantation MEMS in Improved Efficiency Lithography Subject Index Back Cover
2nd Edition. — Springer, 2007. — 343 p. Failures of nano-metric technologies owing to defects and shrinking process tolerances give rise to significant challenges for IC testing. As the variation of fundamental parameters such as channel length, threshold voltage, thin oxide thickness and interconnect dimensions goes well beyond acceptable limits, new test methodologies and a...
Boston: Artech House, 2022. — 355 p. This book provides complete step-by-step guidance on the physical implementation of modern integrated circuits, showing you their limitations and guiding you through their common remedies. The book describes today's manufacturing techniques and how they impact design rules. You will understand how to build common high frequency devices such...
Physics of Semiconductor Devices, Michael Shur, Prentice Hall, Upper Saddle River, New Jersey, 1990, 680 p.
Physics of Semiconductor Devices effectively covers the rapidly changing field of semiconductor device physics. New ideas, theories, models and practical applications of semiconductor electronics are presented, and new developments, such as amorphous silicon, compound...
Cambridge University Press, 2012. — 378 p. — ISBN: 9781107012585. A comprehensive review of cutting-edge solid state research, focusing on its prominent example – quantum dot nanostructures – this book features a broad range of techniques for fabrication of these nano-structured semiconductors and control of their quantum properties. Written by leading researchers, the book...
John Wiley & Sons Singapore Pte. Ltd, 2016. — 259 p. — ISBN: 1118871669. A comprehensive advanced level examination of the transport theory of nanoscale devices Provides advanced level material of electron transport in nanoscale devices from basic principles of quantum mechanics through to advanced theory and various numerical techniques for electron transport Combines several...
Hoboken: Wiley, 2010. — 228 p. An eagerly anticipated, up-to-date guide to essential digital design fundamentals Offering a modern, updated approach to digital design, this much-needed book reviews basic design fundamentals before diving into specific details of design optimization. You begin with an examination of the low-levels of design, noting a clear distinction between...
4th edition. — Pearson Education, 2011. — 839 p. — ISBN: 0321547748. For both introductory and advanced courses in VLSI design, this authoritative, comprehensive textbook is highly accessible to beginners, yet offers unparalleled breadth and depth for more experienced readers. The Fourth Edition of "CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems perspective" presents broad and...
Wiley-VCH GmbH, 2024. — 501 p. — ISBN: 978-3-527-34809-1 Halide Perovskite Semiconductors: Structures, Characterization, Properties, and Phenomena covers the most fundamental topics with regards to halide perovskites, including but not limited to crystal/defect theory, crystal chemistry, heterogeneity, grain boundaries, single-crystals/thin-films/nanocrystals synthesis,...
Springer, 2020. — 385 p. — (Springer Series in Materials Science 303). — ISBN: 978-981-15-6636-3. This book addresses perovskite quantum dots, discussing their unique properties, synthesis, and applications in nanoscale optoelectronic and photonic devices, as well as the challenges and possible solutions in the context of device design and the prospects for commercial...
Раздел Микроэлектроника. Ташкент, Электротехнический институт связи, 2002 г. Конспект лекции
В конспекте лекций обобщен и систематизирован материал по разделу «микроэлектроника» курса «Электронные и квантовые приборы и микроэлектроника». Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь при...
Раздел Полупроводниковые диоды/Конспект лекций – Ташкент : ТЭИС, 2002, 87 с. В конспекте лекций обобщен и систематизирован материал по разделу «полупроводниковые диоды» курса «Электронные и квантовые приборы и микроэлектроника». Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь при...
Арипов Х.К., Кузьмина Г.Н., Абдуллаев А.М., Афанасьева А.М.
Конспект лекций. - Ташкент: ТУИТ 2003.
В данном конспекте лекций обобщен материал по дисциплине "Микроволновые полупроводниковые приборы". Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь студентам при самостоятельном изучении...
Харьков: ХНУ, 2004. - 144 с. Приведены задачи по основным разделам курсов - "Физика полупроводников", "Твердотельная электроника", "Оптоэлектроника", которые включают химические связи в полупроводниках, статистику электронов и дырок в полупроводниках, кинетические явления в полупроводниках, неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления, биполярные...
Харьков: ХНУ, 2004. - 144 с. [Постраничная версия]
Приведены задачи по основным разделам курсов - "Физика полупроводников", "Твердотельная электроника", "Оптоэлектроника", которые включают химические связи в полупроводниках, статистику электронов и дырок в полупроводниках, кинетические явления в полупроводниках, неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления,...
Курс лекций. — Ярославль: Ярославский государственнй университет имени П.Г. Демидова, 2000. — 77 с.
Избранные лекции по курсу "Твердотельная электроника". Курс содержит краткие сведения по физике полупроводников, а также теорию диодов и биполярных транзисторов.
Предназначено для студентов, специализирующихся по радиофизике и электронике.
Введение.
Краткие сведения из...
Минск, Наука и техника, 1981.- 214 с. В книге обобщены и систематизированы результаты исследований тонких пленок полупроводников с целью создания на их основе и с применением методов интегральной технологии нового поколения миниатюрных твердотельных измерительных преобразователей (ИП). Книга такой направленности издастся впервые. Она дополнит серию недавно изданных монографий,...
Навчальний посібник. — Харків: Харківський національний університет радіоелектроніки (ХНУРЕ), 2020. — 236 с. — ISBN 978-966-659-291-3. Викладено основні фізичні принципи функціонування напівпровідникових електронних компонентів, їхні електричні параметри та характеристики, режими роботи, приклади використання в електронних схемах. Розглянуто найбільш поширені структури діодів,...
підручник. – К. : НТУУ «КПІ», 2015. – 484 с. Висвітлено фізичні процеси більшості відомих дискретних приладів твердотільної електроніки. Подано основні відомості з фізики напівпровідників, фізики утворення електронно-діркового та інших електронних переходів; розглянуто теоретичну модель електронно-діркового переходу та його властивості. Докладно викладено принцип дії, параметри...
М.: Мир, 1986. — 399 с., ил. В книге английского ученого всесторонне и с единых позиций рассмотрены механизмы генерирования шумов и шумовые характеристики электронных устройств, начиная с биполярных и полевых транзисторов, диодов, резисторов, СВЧ-приборов и кончая такими современными приборами и уникальными установками, как квантовые усилители и генераторы, приборы с переходами...
Пер. с англ. Под ред. В.Н. Губанкова. — М.: Мир, 1986. — 399 с.: ил. В книге английского ученого всесторонне и с единых позиций рассмотрены механизмы генерирования шумов и шумовые характеристики электронных устройств, начиная с биполярных и полевых транзисторов, диодов, резисторов, СВЧ-приборов и кончая такими современными приборами и уникальными установками, как квантовые...
Москва: Физматлит, 2004. — 168 с. — ISBN 5-9221-0402-0. Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу "Основы полупроводниковой электроники", читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на шесть глав: физические основы работы p - n -перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические...
Москва: Физматлит, 2006. — 168 с. — ISBN: 5-9221-0402-0. Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу "Основы полупроводниковой электроники", читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на шесть глав: физические основы работы p-n-перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические...
СПб: СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 2002. Курс лекций для бакалавров. Оглавление. Этапы производства и оптимизация ИС. Предельные возможности интегральной микроэлектроники. Приборы с зарядовой связью. Гетеропереход и двумерный электронный газ. Сверхбыстродействующие транзисторы на основе гетероперехода. Микроэлектроника СВЧ.
Учебное пособие. — СПб.: Изд-во Политехнического университета, 2013. — 79 с.
Соответствует содержанию авторского курса Твердотельная электроника для обучающихся по направлению 223200 Техническая физика по бакалаврской подготовке. Рассмотрены основы теории полупроводниковых гетероструктур. Дана классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом...
Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их возникновения, вольт-амперная характеристика и перегрузочная способность...
Ленинград: Энергия, Ленинградское отделение, 1980. — 152 с. Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их...
Ленинград: Энергия, Ленинградское отделение, 1980. — 152 с. Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их...
Учебное пособие. — 2-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2005. — 408 с. — (Мир электроники). — ISBN 5-94836-060-1. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на...
2-е изд. — М.: Техносфера, 2007. — 408 с. — ISBN: 978-5-94836-120-8
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены...
2-е изд. — М.: Техносфера, 2007. — 408 с. — ISBN: 978-5-94836-120-8.
дополнено до:
3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с. — ISBN 978-5-94836-187-1.
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах...
Учебное пособие. — Петрозаводск: Издательство Петрозаводского государственного университета, 2004. — 312 с. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на...
3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с. — ISBN: 978-5-94836-187-1. Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены...
Учебное пособие. — Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2004. — 635 с.: ил. В данном учебном пособии рассмотрены физика процессов в полупроводниковых устройствах, базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологии монолитных, гибридных интегральных схем и...
Учебное пособие. — Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2004. — 635 с.: ил. В данном учебном пособии рассмотрены физика процессов в полупроводниковых устройствах, базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологии монолитных, гибридных интегральных схем и...
М.: СевНТУ, 2004. - 635 с. - ISBN 966-7473-70-8. В учебном пособии рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологию монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа;...
Томск: ТУСУР, 2011 — 175 с. В учебном пособии изложены основные физические явления в твердых телах, положенные в основу работы базовых элементов современной твердотельной электроники. В качестве теоретической базы курса рассмотрены основы зонной теории твердых тел, механизмы поглощения излучения полупроводниками, их фотоэлектрические и эмиссионные свойства, а также явления,...
Учеб. пособие. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2007. – 292 с. Рекомендовано учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных...
Учебно-методическое пособие. — Бишкек: КРСУ, 2016. — 72 с.: ил. Учебно-методическое пособие содержит теоретическую часть, методические указания и порядок выполнения 14 лабораторных работ по твердотельной электронике. Пособие может быть использовано студентами Естественно-технического факультета при изучении курсов «Твердотельная электроника», «Основы радиофизики»...
Минск: Беларуская навука, 2018. — 272 с. Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области технологии и оборудования для производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских...
Воронеж: ВГУ, 2006. - 43 с. Учебно-методическое пособие, посвященное элементам и устройствам твердотельной электроники, подготовлено на кафедрах электроники и радиофизики физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 3, 4 курсов физического факультета специальностей "Радиофизика и электроника", "Физика" (очная форма обучения), 4,...
Учебно-методическое пособие. — Екатеринбург: Уральский университет, 2016. — 160 с. — ISBN: 978-5-7996-1787-5. Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в p-n переходе, виды пробоев p-n перехода, процессы в p-n переходах с туннельным эффектом, устройство, принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим...
Учебно-методическое пособие. — Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2016. — 160 с. — ISBN: 978-5-7996-1787-5. Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в p-n переходе, виды пробоев p-n перехода, процессы в p-n переходах с туннельным эффектом, устройство, принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n...
М.: ДМК Пресс, 2013. — 600 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
М.: ДМК Пресс, 2013. — 600 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
М.: ДМК Пресс, 2013. — 576 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
М.: ДМК Пресс, 2013. — 576 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
М. - Высшая Школа, 1986. — 304 с. Учебник для студентов вузов В учебнике рассмотрены тепловые, электрические, оптические и магнитные свойства твёрдых тел и электрические свойства плёнок. Для облегчения восприятия материала rpoоздкие математические построения опущены. Широко используются упрощенные модели с сохранением достаточно строгого уровня изложения. Содержание Структура...
Учебник для студентов вузов. — М.: Высшая Школа, 1986. — 304 с. В учебнике рассмотрены тепловые, электрические, оптические и магнитные свойства твердых тел и электрические свойства пленок. Для облегчения восприятия материала громоздкие математические построения опущены. Широко используются упрощенные модели с сохранением достаточно строгого уровня изложения. Структура...
Учебное пособие. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2018. — 107 с. — ISBN 978-5-9275-2621-5. Рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимости полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно...
Учебное пособие. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2018. — 107 с. — ISBN 978-5-9275-2621-5. Рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимости полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно...
Учебное пособие. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2017. — 126 с. — ISBN 978-5-9275-2621-5. В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно...
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: Наука, 2000. — 100 с. Введение. Основные обозначения. Энергетические диаграммы полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом и полупроводниковых структур. Классификация полупроводников и структур на их основе. Неоднородные полупроводники и гомоструктуры. Варизонные полупроводники. Варизонный полупроводник—гетероструктура....
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2010. — 212 с. — ISBN 978-5-87623-304-2. Рассмотрены физические явления на границе раздела полупроводник – диэлектрик и в контактах металл – полупроводник. Изложены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров. Уделено внимание гетеропереходам и...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2010. — 212 с. — ISBN 978-5-87623-304-2. Рассмотрены физические явления на границе раздела полупроводник – диэлектрик и в контактах металл – полупроводник. Изложены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров. Уделено внимание гетеропереходам и...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1997. — 119 с. Рассмотрены контактные явления на границе раздела полупроводник—диэлектрик и на контактах металл—полупроводник. Кратко сформулированы свойства p-n переходов, биполярного и полевого транзисторов. Рассмотрение приведенных в пособии задач и их решений позволяет глубоко усвоить излагаемый материал. Пособие предназначено для изучения...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1997. — 119 с. Рассмотрены контактные явления на границе раздела полупроводник—диэлектрик и на контактах металл—полупроводник. Кратко сформулированы свойства p-n переходов, биполярного и полевого транзисторов. Рассмотрение приведенных в пособии задач и их решений позволяет глубоко усвоить излагаемый материал. Пособие предназначено для изучения...
Учебное пособие. — В 2 частях. — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с. Учебное пособие "Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем" состоит из двух частей. В первой части "Физика активных элементов ИМС" рассматриваются вопросы физик работы биполярных транзисторов и полевых структур с элементами расчёта маломощных приборов НЧ и ВЧ диапозонов. Больше внимание уделено...
Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики...
Учебное пособие. — Томск: Эль Контент, 2011. — 244 с.
Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твёрдотельных приборов, явления переноса в твёрдых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы...
Курс лекций для студ. физ. фак-та. – Минск: БГУ, 2003. — 73 с. Курс предназначен для студентов 4 курса специализаций «Физика полупроводников и диэлектриков» и «Новые материалы и технологии». Рассматриваются вопросы переноса заряда в немагнитных и магнитоупорядоченных конденсированных средах и структурах на их основе во внешнем магнитном поле, возможность применения...
Рассматриваются процессы в различных областях транзисторной
структуры, определяющие теория статический коэффициент передачи тока
базы транзистора и его зависимость от режима и температуры.
Для студентов и аспирантов, обучающихся по специальности 200100
«Микроэлектроника и твердотельная электроника» (Московский государственный институт электроники и математики (технический...
Пер. с англ. — М.: Атомиздат, 1970. — 165 с. Данная книга посвящена одной из наиболее актуальных и наименее изученных проблем радиационной физики полупроводников — влиянию поверхности на характеристики полупроводниковых материалов и приборов при воздействии ионизирующего излучения. В книге анализируются работы, характеризующие современное состояние исследований по данной...
Учебное пособие. — М.: МИРЭА, 2011. - 61 с. Данное учебное пособие по курсу "Магнитоэлектроника" предназначено магистрам, обучающимся по направлению 210100 "Микроэлектроника". В нем рассмотрены недавно открытые физические эффекты, которые легли в основу бурного развития этой отрасли электроники, начавшегося с 90-х годов XX века и продолжающегося в настоящее время. Учащиеся...
Специальная редакция для журнала Радио. – Таганрог, 2004. – 121 с.
Рецензент к. т. н. Гайно Евгений Владимирович.
Автор выражает благодарность уважаемому Владимиру Чуднову за ценные замечания при подготовке рукописи.
Автор выражает благодарность своему учителю – Александру Владимировичу Кнышу.
М.: Радио и связь, 1983. — 208 с.: ил. Рассмотрены основные свойства полупроводниковых материалов с отрицательным и положительным температурными коэффициентами сопротивления. Описана технология изготовления терморезисторов на основе этих материалов. Приведены варианты конструкций терморезисторов и их характеристики, а также схемные решения устройств с терморезисторами....
М.: Радио и связь, 1983. — 208 с.: ил. Рассмотрены основные свойства полупроводниковых материалов с отрицательным и положительным температурными коэффициентами сопротивления. Описана технология изготовления терморезисторов на основе этих материалов. Приведены варианты конструкций терморезисторов и их характеристики, а также схемные решения устройств с терморезисторами....
Мн.: БГУ, 2003. — 171 с.: ил. — ISBN 985-445-950-0.
В монографии систематизированы физические методы исследования структуры, фазового состава, электрофизических свойств материалов и многослойных тонкопленочных структур, используемых в микроэлектронике для создания СБИС, а также функционального контроля микросхем. Представлены результаты по применению различных методов контроля...
Навчальний посібник. - Х: ХНУ імені В.Н.Каразіна, 2007. - 544 с.
У навчальному посібнику в наочній формі викладаються фізичні принципи дії багатьох сучасних твердотільних приладів. Детально розглядаються нерівноважні носії заряду в напівпровідниках, контактні явища, біполярні транзистори, уніполярні транзистори, тунельні явища й прилади, пролітні явища й прилади, міждолинний...
Учебное пособие. — Воронеж: Воронежский государственный технический университет, 2012. — 294 с. В учебном пособии рассматриваются основные физические процессы и явления, обеспечивающие работу приборов твердотельной электроники. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности...
Одесса: Логос, 1994. — 336 с. Учебное пособие посвящено теоретическим основам работы твердотельных фотоэлектричесих преобразователей световой энергии в электрическую. Предисловие. Основные условные обозначения. Равновесные и неравновесные носители тока в полупроводниках. Принцип действия полупроводникового преобразователя. Фотопреобразователи на основе p-n -переходов....
Учебно-методическое пособие. — Минск: Белорусский национальный технический университет, 2021. — 346 с. — ISBN 978-985-583-543-2. Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальности 1-41 01 01 «Технология материалов и компонентов электронной техники». Главная цель учебно-методического пособия – ознакомить студентов с основами физики процессов в твердотельных...
Учебно-методическое пособие. — Минск: Белорусский национальный технический университет (БНТУ), 2021. — 346 с. — ISBN 978-985-583-543-2. Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальности 1-41 01 01 «Технология материалов и компонентов электронной техники». Главная цель учебно-методического пособия – ознакомить студентов с основами физики процессов в...
Учебно-методическое пособие. – Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007. — 76 с.
Учебно-методическое пособие предназначено для проведения аудиторных практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Твердотельная электроника» для студентов специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» направления подготовки...
М.: Просвещение, 1989. — 128 с.: ил. — (Мир знаний). — ISBN 5-09-001324-1. Книга знакомит читателя с историей развития электроники, возникновением микроэлектроники. В ней даны основные понятия о видах микросхем - полупроводниковых интегральных и гибридных (тонкопленочных и толстопленочных). Даны элементарные понятия о физике полупроводников и основных элементов ИМС. Объясняется...
Учебное пособие. — Новосибирск: НГУ, 2011. — 91 с. Предлагаемое учебное пособие, представляющее собой введение в курс «Физические основы информационных технологий», знакомит студентов с историей, современным состоянием и перспективами развития микроэлектроники. Введение. Цифровые интегральные микросхемы. Физические пределы, ограничивающие экстенсивное развитие ИМС....
М.: Наука, 1973 — 470 с. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). Книга посвящена терморезисторам — полупроводниковым резисторам с сильной зависимостью величины сопротивления от температуры. В ее первой части обсуждаются электрические свойства и кристаллическая структура ряда окислов переходных металлов, а также физические и физико-химические основы технологии...
М.: Наука, 1973. — 416 с. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). OCR (распознан, можно копировать текст) Книга посвящена терморезисторам — полупроводниковым резисторам с сильной зависимостью величины сопротивления от температуры. В ее первой части обсуждаются электрические свойства и кристаллическая структура ряда окислов переходных металлов, а также физические и...
Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 56 с. Зонная структура полупроводников Термины и определения Статистика электронов и дырок в полупроводниках, положение уровня Ферми Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике Определение положения уровня Ферми Проводимость полупроводников Токи в полупроводниках...
Перевод с англ. С.Д. Барановского и др. — М.: Мир, 1991. — 632 с.: ил. — ISBN 5-03-001459-4. Книга написана известным американским специалистом в области физики полупроводников М. Шуром. Подробно изложены электрофизические свойства GaAs. Особое внимание уделено явлениям переноса в субмикронных структурах. Рассмотрены все основные методы получения и исследования GaAs. Подробно...
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 479 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.1 содержатся сведения о физике...
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 479 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.1 содержатся сведения о физике...
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 295 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.2 описаны фотонные приборы, диоды с...
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 295 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.2 описаны фотонные приборы, диоды с...
В книге описаны физические механизмы эффекта Ганна - эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения. Книга рассчитана на инженеров, техников и...
Томск: ТУСУР, 2019. — 152 с. Представлены физико-математические элементы, необходимые для освоения твердотельной электроники. Рассмотрены элементы физической статистики, физики твердого тела, электропроводность металлов и полупроводников, особенности зонной структуры полупроводников, явление сверхпроводимости, а также контактные явления и базовые принципы работы...
Комментарии