Транзистор, полупроводниковый триод - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.
Wiley-Interscience, 1970. — 534 p. — ISBN 9780471161509. Fabrication of Field-Effect Transistors Static and Low-Frequency Theory of Junction-Gate Field-Effect Transistors Charge-Control Analysis of Junction-Gate FET’s Small-Signal, High-Frequency Properties of Junction-Cate Field-Effect Transistors Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Junctions Static Theory of Inversion...
Wiley-Scrivener, 2025. — 513 p. — ISBN 9781394248476. Field Effect Transistors is an essential read for anyone interested in the future of electronics, as it provides a comprehensive yet accessible exploration of innovative semiconductor devices and their applications, making it a perfect resource for both beginners and seasoned professionals in the field. Miniaturization has...
John Wiley & Sons, 2006. — 303 p. The purpose of this book is to assemble and explain in a coherent manner all the know-how and all the publications related to the particular MOS transistor modeling approach embodied by the EKV model. This model borrows from the work of a long line of researchers, starting in the early times of semiconductor physics. It has its roots in the...
Hauppauge: Nova Science Publishers, Incorporated, 2010. — 210 p. Transistors play a central role in many electronic circuits, where they usually function as either a switch or an amplifier. This book reviews research in the field of transistors including a new class of transistors whose channels are made from semiconducting carbon nanomaterials; the evolution of these designs...
Wiley-VCH GmbH, 2023. — 273 p. This book will focus on interface engineering of OFETs and aim to provide fundamental understandings of the interplay between the molecular structure, assembly, and emergent functions at the molecular level and consequently offer novel insights into designing a new generation of multifunctional integrated circuits and sensors toward practical...
Designer’s Guide Consulting, Inc., 2012. — 19 p. A brief introduction to transistors, starting with PN junctions and ending with common single transistor amplifier configurations.
Springer Science+Business Media, LLC, 2009. — 156 p. — (Series on Integrated Circuits and Systems). — ISBN: 978-0-387-92133-4. Organic Field Effect Transistors discusses the fundamental mechanisms that apply to OFETs fabrication, operation, and characterization. This unique book presents the state-of-the-art in organic field effect transistors (OFETs) with a particular focus on...
McGraw-Hill, 1967. — 150 p. Basic Physics Of The Field Effect. The Theory Of Operation Of The Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. The Three Modes Of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Operation. The State Of Metal-Oxide-Semiconductor Technology. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Electrical Characteristics, Circuit Parameters And...
Wiley-IEEE Press, 2019. — 491 р. A comprehensive one-volume reference on current JLFET methods, techniques, and research Advancements in transistor technology have driven the modern smart-device revolution—many cell phones, watches, home appliances, and numerous other devices of everyday usage now surpass the performance of the room-filling supercomputers of the past....
Springer, 2021. — 137 p. This book explores integrated gate drivers with emphasis on new gallium nitride (GaN) power transistors, which offer fast switching along with minimum switching losses. It serves as a comprehensive, all-in-one source for gate driver IC design, written in handbook style with systematic guidelines. The authors cover the full range from fundamentals to...
Springer, 2023. — 98 p. This book discusses the evolution of multigate transistors, the design challenges of transistors for high-frequency applications, and the design and modeling of multigate transistors for high-frequency applications. The contents particularly focus on the cut-off frequency and maximum oscillation frequency of different multigate structures. RF stability...
Springer, 2023. — 98 p. — (Springer Tracts in Electrical and Electronics Engineering). — ISBN 978-981-99-0156-2. Многозатворные транзисторы для высокочастотных приложений This book discusses the evolution of multigate transistors, the design challenges of transistors for high-frequency applications, and the design and modeling of multigate transistors for high-frequency...
CRC Press, 2024. — 280 p. — (Materials, Devices, and Circuits: Design and Reliability). — ISBN 978-1-032-41425-6. This book provides an overview of emerging semiconductor devices and their applications in electronic circuits, which form the foundation of electronic devices. Device Circuit Co-Design Issues in FETs provides readers with a better understanding of the ever-growing...
3rd edition. — Oxford University Press, 2011. — 752 p. — (The Oxford Series in Electrical and Computer Engineering). — ISBN: 978-0195170153. Operation and Modeling of the MOS Transistor has become a standard in academia and industry. Extensively revised and updated, the third edition of this highly acclaimed text provides a thorough treatment of the MOS transistor--the key...
Department of Weapons Training Lowry Air Force Base Colorado, 1960-1961. — 457 p. Introduction to Semiconductor Devices and transistor theory from legendary Bob Widlar. Introduction to Semiconductor Devices Conduction in Solids The PN Junction The Junction Transistor The Fabrication of Diodes and Transistors Transistor Circuits
Boca Raton: CRC Press, 2023. — 290 p. Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications offers a fresh perspective on the design and analysis of advanced field-effect transistor (FET) devices and their applications. The text emphasizes both fundamental and new paradigms that are essential for upcoming advancement in the field of transistors beyond complementary...
Изд: LAP, 2014. - 318 с., ил. Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. В работе предпринята попытка решить следующие задачи: проведение экспериментальных измерений вольт-амперных характеристик электронных приборов в зависимости от...
Учебное пособие. Рязанская государственная радиотехническая академия. - Рязань, 2004. Приведена методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием па-кета программ Mathcad. Рассчитываются основные параметры биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Оглавление. Список обозначений. Введение. Выбор концентрации...
Справочник. — М.: Радио и связь, 1985. — 560 с. Приводятся справочные данные по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам и параметрам современных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования мощных транзисторов в аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.
Производственное издание 1988 года. 262 стр. Каталог предназначен для выбора необходимых потребителю приборов, выпускаемых предприятием. В каталоге приводятся сведения о важнейших свойствах кремниевых транзисторов. Кратко описано основное их назначение, даны габаритные размеры, параметры и характеристики, рекомендации по монтажу. Каталог имеет 4 раздела, в каждом из которых...
Оригинальное название Transistor circuit design. By Joseph A. Walston Перевод с английского К.Г. Меркулова, В.М. Придорогина, Э.И. Рувиновой. Москва: Энергия, 1969 — 590 с. Книга посвящена вопросам инженерного расчета и конструирования схем на транзисторах. Изложены наиболее важные элементы теории транзисторов. Значительный раздел посвящен описанию основных параметров...
Справочник. — М.: Радио и связь, 1989. — 386 с. Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах,...
Учебное пособие. — СПб.: БХВ-Петербург, 2002. — 240 с.: ил. — ISBN: 978-5-94157-100-3. Последовательно и доступно изложена система понятий, без которой невозможно осмысленное изучение транзисторных цепей. Описаны трудности, возникающие при изучении электроники, и достижения тех гуманитарных наук, знание и применение которых способствуют их преодолению. Приведены рекомендации по...
Санкт-Петербург: БХВ-Петербург, 2002. — 240 с.: ил. — ISBN 5-94157-100-3. Последовательно и доступно изложена система понятий, без которой невозможно осмысленное изучение транзисторных цепей. Описаны трудности, возникающие при изучении электроники, и достижения тех гуманитарных наук, знание и применение которых способствуют их преодолению. Приведены рекомендации по выполнению...
Москва.
Связь.
1971.
243 с.
Рассматриваются вопросы теории нелинейных явлений, возникающих в основных транзисторных схемах приемно-передающего тракта аппаратуры связи. Исследовано влияние свойств транзистора, конфигурации схемы, параметров генераторов частот в выходном спектре каскадов, для различных случаев. Приведены методики расчета основных каскадов, направленная на...
М., Мир, 1992 г. 565 стр. В книге специалиста из США излагаются вопросы анализа и расчета транзисторных и линейных интегральных схем. Изложение ведется последовательно - от физических основ полупроводниковой электроники и принципов действия транзистора до расчета многокаскадных усилителей, усилителей мощности, источников питания, резонансных и операционных усилителей. Материал...
М.: Радио и Связь, 1988. — 496 с.: ил. ISBN: 5-256-00136-1 (рус.) ISBN: 89006.090.8 (англ.) Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия.
М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.: ил. — ISBN: 5-256-00136-1. Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, изготовлением и...
М., Советское радио, 208 с., 1973. Книга посвящена изложению основ теории и схемотехники новых типов быстродействующих полупроводниковых негатронов - лавинных транзисторов.
Под ред. С. Я. Шаца. — М.: Советское радио, 1973. — 208 с. Книга посвящена изложению основ теории и схемотехники новых типов быстродействующих полупроводниковых негатронов — лавинных транзисторов. В ней анализируются статические S- и N-образные вольт-амперные характеристики транзисторов в лавинном режиме работы и динамические характеристики в переключающих схемах. Описаны...
Монография. — М.: СОЛОН-Пресс, 2010. — 240 с.: ил. — (Компоненты и технологии). — ISBN: 978-5-91359-004-6. Справочная монография, отражающая почти 60-летний период разработки и развития одного из старейших негатронов — однопереходного транзистора (ОПТ) и его схемотехнических аналогов. Впервые, наряду с описанием обычных ОПТ (двухбазовых диодов), детально описаны новейшие...
М.: СОЛОН-Пресс, 2008. — 240 с. — (Компоненты и технологии). — ISBN: 978-5-91359-004-6.
Справочная монография, отражающая почти 60-летний период разработки и развития одного из старейших негатронов — однопереходного транзистора (ОПТ) и его схемотехнических аналогов. Впервые, наряду с описанием обычных ОПТ (двухбазовых диодов), детально описаны новейшие программируемые ОПТ,...
М.: Радио и связь, 1985. — 176 с.: ил. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных...
Под ред. Е.З.Мазеля. - М.: Радио и связь, 1985. - 176 с., ил. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных...
2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Радио и связь, 1984. — 216 с. Рассмотрены особенности характеристик и применения основных типов отечественных полевых транзисторов практически во всех возможных режимах работы. Приведены методики расчета узлов аппаратуры выполненных на полевых транзисторах. По сравнению с первым изданием (1979 г. ) расширен материал по...
Новосибирск: Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2008. — 319 с. В монографии рассматриваются типы, характеристики и свойства полевых транзисторов (ПТ). Уточняется теория ПТ, работающих в режимах управляемого сопротивления, усиления, с прямыми токами затвора и подложки, а также, в предложенном автором, - комбинированном режиме. Рассматриваются...
Москва: Связь, 1979. — 192 с.: ил. В книге рассмотрены вопросы теории и применения полевых транзисторов, работающих в режиме управляемого сопротивления, управляемой крутизны, усиления, ключа, в режиме с прямыми токами затвора и комбинированном режиме. Приведены результаты исследования свойств более десяти типов отечественных полевых транзисторов. Рассмотрены особенности...
М.: Советское радио, 1978. — 136 с. с ил. Книга содержит сведения о физических процессах в транзисторах и особенностях их использования в микрорежимах в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются вольт-амперные характеристики и основные параметры биполярных и полевых транзисторов в микрорежиме. Показаны возможности и методы построения микромощных...
Под ред. Я.А. Федотова. — М.: Советское радио, 1973. — 336 с. Изложены основы планарной технологии и законы распределения примесей в транзисторах. Подчеркнуты особенности изготовления кремниевых планарных ВЧ и СВЧ транзисторов. Проведен анализ физических процессов, обусловливающих изменения параметров в зависимости от режима работы. Описаны особенности переходных процессов и...
Под ред. Я.А. Федотова. — М.: Советское радио, 1973. — 336 с. Изложены основы планарной технологии и законы распределения примесей в транзисторах. Подчеркнуты особенности изготовления кремниевых планарных ВЧ и СВЧ транзисторов. Проведен анализ физических процессов, обусловливающих изменения параметров в зависимости от режима работы. Описаны особенности переходных процессов и...
В 2-х частях. — Учебно-методическое пособие. — Минск: БГУИР, 2011. — 68 с. Пособие посвящено расчету и проектированию биполярных структур. Основой пособия послужил материал дисциплины «Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем», читаемой автором студентам 4-го курса специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» и «Квантовые информационные...
Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физика полупроводниковых приборов» для студентов специальностей «Квантовые информационные системы» и «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» дневной и заочной форм обучения. — Минск: БГУИР, 2006. — 104 с.
В пособии рассмотрены электронные приборы, изготовленные на основе полупроводниковых соединений GaAs и GaN, которые...
Учебное пособие. — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с. В первой части рассматриваются вопросы физики работы биполярных и полевых структур с элементами расчета маломощных приборов НЧ и ВЧ диапазонов. Большое внимание уделено эффектам короткого канала МОП транзисторов, потери мощности в КМОП схемах, а также физике и конструкции полевых транзисторов с барьером Шоттки. Данное учебное...
Учебное пособие. — Минск: БГУИР, 2012. — 96 с. Пособие посвящено расчету и проектированию полевых транзисторов. В основе – материал дисциплины «Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем», читаемой студентам 4-го курса БГУИР специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» и «Квантовые информационные системы». Пособие также может быть полезно при...
Учебное пособие. — В 2-х частях. — Минск: БГУИР, 2016. — 158 с. В учебном пособии приводится подробный сравнительный анализ электрических характеристик различных приборов силовой электроники: тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, с изолированным затвором. Рассматриваются электрические и конструктивные параметры гетеробиполярных и гетерополевых транзисторов на основе...
Издание 2-е, исправленное Москва: Техносфера, 2011. - 800 с., ISBN: 978-5-94836-289-2 В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ...
Перевод с немецкого В.Н. Белоусова, Л.Н. Кореневского, В.С. Фролова. — Москва; Ленинград: Энергия, 1964. — 384 с. В книге изложены основные принципы построения и расчета наиболее распространенных схем, выполняемых на транзисторах. Большое внимание уделено как общим вопросам конструирования схем, так и вопросам применения транзисторов в различных областях радиотехники, телевидения,...
Пер. с нем. В.Н. Белоусова, Л.Н. Кореневского, В.С. Фролова. — М.; Л.: Энергия, 1964. — 386 с. В книге изложены основные принципы построения и расчета наиболее распространенных схем, выполняемых на транзисторах. Большое внимание уделено как общим вопросам конструирования схем, так и вопросам применения транзисторов в различных областях радиотехники, телевидения, измерительной...
Киев : Наукова Думка, 1967. — 107 с. Полупроводниковый триод (транзистор) — неизбежный элемент современной радиоэлектронной аппаратуры. В основу многих схем счетно-решающих устройств и кибернетических машин положены полупроводниковые приборы. Но этим не ограничивается область применения транзисторов, они нашли широкое распространение во всех отраслях техники. В брошюре...
Киев: Наукова думка, 1967. — 106 с. Полупроводниковый триод (транзистор) — неизбежный элемент современной радиоэлектронной аппаратуры. В основу многих схем счетно-решающих устройств и кибернетических машин положены полупроводниковые приборы. Но этим не ограничивается область применения транзисторов, они нашли широкое распространение во всех отраслях техники. В брошюре...
Справочное пособие. — Минск: Вышэйшая школа, 1989. — 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.
Минск: "Вышейшая школа", 1989 г. , 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.
Пер. с англ. — М.: Радио и связь, 1985. — 288 с. В книге американского специалиста рассматриваются принципы работы, конструктивно-технологические особенности и характеристики основных типов мощных полевых транзисторов с управляющим р-п переходом и МДП-структурой, описываются их модели различной сложности и назначения, схемотехника многочисленных устройств, для которых наиболее...
Перевод с немецкого В. С. Заседа.
Под редакцией И. А. Палекова.
Москва. Издательство "Советское Радио" - 1973 год. 505 страниц.
Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. Большое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная...
РадиоСофт,1998г. ,832с. В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные свойства иностранных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов указаны в русском стереотипе, с указанием допусков по достоверным сведениям компаний производителей. В справочнике наличествуют помимо прочего иностранные аналоги транзисторов (при этом...
РадиоСофт,1998г. ,896с. Во втором томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики иностранных сильных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов с предельными отклонениями указаны в русском стереотипе. В справочнике помещены ассортимент фирм-изготовителей и перечень иностранных аналогов выпускающихся и снятых с производства...
Справочное пособие. - М.: Радио и связь, 1993. - 224с.
В данном пособии приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и...
Вильнюс: Мокслас, 1985. — 112 с. Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга...
Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2003. В учебном пособии рассматриваются физические процессы, основные параметры, характеристики и эквивалентные схемы наиболее распространенных в современной радиоэлектронной аппаратуре биполярных и полевых транзисторов. Пособие предназначено для изучения соответствующего раздела курсов «Радиоматериалы и радиокомпоненты», «Электроника», «Электротехника и...
Учебно-методическое пособие. — Казань: КГТУ, 2001. — 41 с. Пособие предназначено для проведения практических занятий по электронике в дисциплине "Электроника и микропроцессорная техника" федеральной составляющей Государственного образовательного стандарта по направлению подготовки дипломированного специалиста 653700 - "Приборостроение" Данное пособие может быть полезным для...
М.:Энегрия, 1969. В книге изложены вопросы, связанные с работой и конструированием бестрансформаторных транзисторных усилителей низкой частоты. Приведены примеры расчета.
Киев: Техника, 1969. — 300 с. Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя p-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых...
Киев: Техника, 1969. — 300 с. Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя p-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых...
2-е, испр. и доп. — Киев: Техника, 1975. — 260 с. Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные...
2-е, испр. и доп. — Киев: Техника, 1975. — 260 с. Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные...
Москва: Советское радио, 1964. — 304 с. Рассматривается теория, технология изготовления, эквивалентные схемы, частотные свойства и температурные зависимости параметров маломощных дрейфовых транзисторов. Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой и применением схем на транзисторах, производством и конструированием транзисторов, а также для студентов высших...
Москва: Советское радио, 1964. — 304 с. Рассматривается теория, технология изготовления, эквивалентные схемы, частотные свойства и температурные зависимости параметров маломощных дрейфовых транзисторов. Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой и применением схем на транзисторах, производством и конструированием транзисторов, а также для студентов высших...
2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Энергия, 1967. — 615 с. В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу указанных схем предшествует подробное рассмотрение физических процессов в полупроводниках, полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве...
Перевод с польского — Под ред. Ю. А. Каменецкого. — М.: Советское радио, 1976. — 288 с. Рассмотрены общие принципы и методы измерений различных параметров транзисторов; описаны измерения транзисторов в диапазоне от очень низких частот до СВЧ, а также измерения импульсных параметров транзисторов как в лабораторных, так и в производственных условиях. Ряд разделов посвящен...
Москва: Связь, 1967. — 64 с. В брошюре рассматриваются причины возникновения флуктуации в транзисторах. На примере каскадного включения их «поясняются пути и средства проектирования малошумящих электрических цепей, в частности, групповых усилителей сигналов связи. Излагается метод определения шумовых параметров транзисторов, основывающийся на измерении экстремальных значений...
М:, Связь, 1967, -64с.
В брошюре рассматриваются причины возникновения флуктуации в транзисторах. На примере каскадного включения их поясняются пути и средства проектирования малошумящих электрических цепей, в частности, групповых усилителей сигналов связи. Излагается метод определения шумовых параметров транзисторов, основывающийся на измерении экстремальных значений...
Транзистор как линейный четырехполюсник.
Система Z – параметров.
Система Y – параметров.
Система H – параметров.
Связь между системами параметров транзистора.
Связь между параметрами в различных схемах включения.
Связь между H – параметрами транзистора в различных схемах включения.
Определение h – параметров транзистора по характеристикам.
П – образная эквивалентная схема...
М.: Энергия, 1971. - Изд. 2-е, перераб. и доп.
Оглавление.
Глава первая. Основные физические параметры полупроводников и соотношения полупроводниковой электроники.
Глава вторая. Расчет р-п переходов.
Глава третья. Эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов.
Глава четвертая. Расчет бездрейфовых транзисторов.
Глава пятая. Расчет дрейфовых транзисторов....
1992 г.
Приведены справочные данные по мощным полевым транзисторам (ПТ) и схемы управления ПТ (в том числе интегральные модули), рассмотрены электронные устройства на основе ПТ, определены методы и схемы защиты ПТ. Основное содержание каталога составляют материалы фирм "Motorola" и "Mitsubishi"
2-е изд., дополненное. — Москва: Связь, 1968. — 249 с. В книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с тремя основными способами включения транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Предлагаемое второе издание по отношению к первому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосвязью и несколькими приложениями. Книга...
М.: «Советское радио», 1960. — 431 с.
Монография посвящена рассмотрению основных физических процессов и связанных с ними свойств транзисторов. Кратко рассматриваются вопросы электропроводности полупроводников, технология производства полупроводниковых материалов — германия и кремния — и измерение основных параметров материала, определяющих его использование для изготовления...
Монография. — М.: Мир, 1965. — 430 с. Монография посвящена описанию полупроводниковых переключательных схем, широко используемых в современной счетно-решающей технике для обработки информации, распределения управляющих сигналов, производства вычислительных операций, а также для преобразования непрерывных величин в дискретные. Автором рассмотрено большое количество транзисторных...
2-е изд., доп. — М.: Связь, 1968. — 186 с. Излагаются общие сведения о транзисторных усилителях, рассматриваются цепи их питания, выбор блок-схемы и принципиальной схемы, расчет каскадов мощного и предварительного усилителей, обратная связь, регуляторы усиления и тембра, требования к источникам питания и основы конструкции усилителей. Приводятся примеры расчета и необходимые...
2-е изд., доп. — М.: Связь, 1968. — 186 с. Излагаются общие сведения о транзисторных усилителях, рассматриваются цепи их питания, выбор блок-схемы и принципиальной схемы, расчет каскадов мощного и предварительного усилителей, обратная связь, регуляторы усиления и тембра, требования к источникам питания и основы конструкции усилителей. Приводятся примеры расчета и необходимые...
М.: Энергия, 1980. — 141 с.
Книга содержит в табличной форме сведения об основных электрических параметрах транзисторов отечественного производства.
Приведены габаритные чертежи и цоколевка приборов.
Книга предназначена для широкого круга читателей.
К.: Вища школа, 1989. – 91 с. Рассмотрены квантовые процессы, обусловленные протеканием стационарного электрического тока через 2-мерную систему на поверхности полупроводника. Разработанная микроскопическая теория замкнутых 2-мерных объектов позволяет объяснить недавно обнаруженные явления квантового эффекта Холла и квантового эффекта поля.
Комментарии