Semiconductor Science and Technology. — 1997. — V. 12. — P. 894–898. A second attempt to establish the manufacturability of a simple heterojunction tunnel diode has made some significant progress towards the goal, but has failed to demonstrate a reverse engineering capability, leaving major challenges in design, materials growth and materials qualification.
Active and Passive Electronic Components. — 2001. — Vol. 24. — P. 1-11. A new S-shaped negative differential resistance (NDR) switching device, prepared by molecular beam epitaxy (MBE), has been successfully developed in a GaAs double triangular barrier structure. Symmetrical bidirectional S-shaped NDR characteristics are observed experimentally. The bidirectional...
Semiconductor Science and Technologyl.- 1996.- V. 11.- P. 772–775.- Printed in the UK. Abstract. We report on the fabrication of an InP-based two-dimensional to two-dimensional tunnel transistor with two modulation-doped strained In 0.75 Ga 0.25 As quantum wells of different thickness. The channels are separated by a 10 nm thick InP barrier. Source and drain contacts are...
Semiconductor Science and Technology. — 2004. — V. 19. — P. 1300–1305. Abstract. This paper presents a new physics-based model for heterostructure bipolar transistors in which tunnel transport plays an important role at the base-emitter (B-E) and/or base-collector (B-C) junctions. The model can be applied to study new bipolar devices designed intentionally with thin tunnel...
Semiconductor Science and Technology. — 1997. — V. 12. — P. 91–99. — Printed in the UK. Abstract. In spite of many remarkable prototype device performances reportedusing semiconductor multilayers that incorporate thin tunnel barriers, it has never been established that the devices are capable of routine manufacture. With reference to the simplest possible tunnel device...
Журнал "Схемотехника"
Статья "Трансформаторы и дроссели для импульсных источников питания", части которой были расположены в трех номерах журнала за 2000 год.
Автор - Алексей Кузнецов (Сидней)
Изложенный в статье материал дает возможность не только создавать катушки индуктивности самостоятельно. Автор надеется также, что читатели смогут использовать эту информацию для...
Статья. — Современные Технологии Автоматизации (СТА). — 2017. — №3. — С. 90-111. Первая статья в журнале СТА на тему нормативного обеспечения деятельности в области военной электроники появилась 10 лет назад. Настоящая статья – шестая по счёту. Она продолжает обзорный цикл по заявленной теме, представляя собой изложение и субъективную трактовку новинок в правилах игры на...
Статья. — Современные Технологии Автоматизации (СТА). — 2013. — №3. — С. 110-131. Это статья о бумажно-бюрократической среде, которая всегда и непременно сопровождает все аспекты нашей жизни, в том числе и электронику, включая военную. Она уже четвёртая в нашем журнале на эту неприятную для творческих людей тему и является продолжением цикла обзоров, начатых Дмитрием Кобзарём ещё...
Статья. — Современные Технологии Автоматизации (СТА). — 2015. — №3. — С. 86-107. Статья продолжает обзор нормативно-правовой среды, в которой трудятся оборонщики-электронщики. Она уже пятая в цикле статей на эту тему в журнале «СТА», начатом Дмитрием Кобзарём в 2007 году. С момента последней публикации прошло два года. Какие изменения произошли за этот период? Статья об этом.
Научная статья. — ТвЭП, 2008 №3. — 34-39 с.
В статье рассмотрены основы теории трения и износа. Определены основные виды изнашивания, установлены механизмы и стадии изнашивания контактных пар электрических соединителей, а также даны рекомендации по снижению негативных последствий процессов изнашивания.
Комментарии