Учебное пособие. - М.: МИФИ, 2008. - 180 с.
Данное учебное пособие необходимо для овладения студентами принципов и инструментов расчетов свойств наносистем, периодических кристаллических структур, в том числе для проведения нового лабораторного практикума «Компьютерное моделирование наносистем и сверхпроводников», вводимого для ряда групп факультета ЭТФ с 2008 года. Учебные...
Учебное пособие. - М.: МИФИ, 2008. - 156 с. Данное учебное пособие необходимо для овладения студентами принципов расчетов свойств наносистем, периодических кристаллических структур, в том числе для проведения нового лабораторного практикума «Компьютерное моделирование наносистем и сверхпроводников», вводимого для ряда групп факультета ЭТФ с 2008 года. Учебные курсы,...
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: Лань, 2010. - 384 с. - Для студентов вузов и специалистов в области вычислительной нанотехнологии.
Представлены основные положения моделирования систем на различных иерархических уровнях строения вещества по схеме «снизу вверх» (атомная структура, молекулы, супрамолекулярные системы и нанокластеры) и рассмотрены взаимодействия частиц на таких...
М.: Техносфера, 2011. - 168 с.: 20 стр. цв. вкл. - ISBN 978-5-94836-286-1, OCR, 600 dpi. В книге рассматриваются методы научной визуализации и особенности математического моделирования в нанотехнологиях. Наличие множества практических примеров применения MatLAB в этой области и эстетическая привлекательность позволяют использовать книгу как учебно-методическое пособие....
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2011. — 73 с. — ISBN 978-5-87623-420-9. Представлены выводы уравнения диффузии и уравнения Пуассона. Получено уравнение диффузии, учитывающее наличие электрического поля в области контакта двух различных материалов. Рассмотрено влияние химических реакций на процессы диффузии. Приведены решения диффузионных задач, в которых учтено: отличие...
М.: Российский университет дружбы народов, 2008. — 161 с.
Пособие посвящено изложению технологических аспектов математического моделирования - вычислительному эксперименту. Применение математического моделирования и вычислительного эксперимента позволяет поднять общий уровень теоретических исследований, дает возможность проводить их в более тесной связи с экспериментальными...
Курс лекций. — М.: МИСиС, 2013. — 47 с. — ISBN 978-5-87623-663-0. Цель курса — ознакомить студентов с методами моделирования процессов выращивания наноструктур. Даны основные представления о методе Монте-Карло, основанном на выборе случайных процессов. Представлены приложения метода Монте-Карло для моделирования взаимодействия частиц. Даны основные представления моделирования...
Комментарии