II Международная научно-техническая конференция “Пром-Инжиниринг”. 2016, с. 351-354.
Решена задача повышения коэффициента технической готовности модулей памяти, значение которого возрастает при уменьшении времени восстановления системы управления при отказе входящих в нее устройств. Предлагается структура модулей памяти со встроенными средствами самотестирования и восстановления работоспособности, что позволит выполнить автоматическую замену разрядов данных основного массива запоминающих ячеек, в которых произошли отказы, на данные, поступающие с выходов запасного массива запоминающих ячеек. Автоматическую реконфигурацию модуля памяти при обнаружении отказа обеспечивают предлагаемые аппаратные и программные средства.