Блецкан Н.И. (ред). Совершенствование технологии получения и исследований монокристаллов особо чистого полупроводникового кремния

Редакционная коллегия: Н.И. Блецкан. И.Н. Воронов, В.П. Гришин, М.Я. Дашевский, О.В. Пелевин, Н.В. Шишкова. — М.: ЦНИИцветмет экономики и информации, 1985. — 73 с.Тезисы докладов к Всесоюзной научно-технической конференции. Опубликованы результаты разработок технологии получения и исследования структурных и физических свойств однородных монокристаллов кремния. Рассмотрены вопросы использования однородных монокристаллов кремния в полупроводниковых приборах. Для студентов, аспирантов и преподавателей.Муравицкий С.А., Гринблат С.Л., Дементьев И. В., Иванов С.А. Совершенствование технологии выращивания равномерно легированных монокристаллов кремния методом Чохральского.
Губенко А.Я. Получение кремния с контролируемыми свойствами введением в расплав модифицированных примесей.
Дашевский М.Я., Кибизов Р.В. Распределение германия между расплавом и растущим кристаллом при выращивании междендритных лент и монокристаллов кремния методом Чохральского.
Любалин М.Л. Влияние параметров процесса вытягивания кристаллов на температуру расплава и газа вблизи фронта роста.
Смирнов Ю.М. Использование закона Бекке для получения однородно легированных монокристаллов.
Шушлебина Н.Я., Ионов В.И., Головин Б.И., Кудин A.B., Хорват А.М. Получение однородно легированных бездислокационных монокристаллов кремния при выращивании методом Чохральского.
Ремизов O.A., Первова O.A., Насупкина Л.В., Боронина Г.П. Исследования условий получения монокристаллов кремния методом Чохральского с пониженным содержанием углерода.
Макеев Х.И., Розенталь Г.О., Щегляева Т.А. Автоматизированное легирование при выращивании монокристаллов кремния с равномерным распределением примесей по длине.
Романенко В.Н. Новые методы контроля за уровнем расплава.
Кибизов Р.В., Сальник З.А., Макеев Х.И. Выращивание монокристаллов кремния диаметром 100 мм с применением плавающего тигля.
Головин Б.П., Шашков Ю.М. Возможности внешнего воздействия на процесс выращивания монокристаллов кремния.
Гуляева A.C., Лайнер Л.В., Первова O.A., Ремизов O.A., Слободова С.У. Влияние скорости роста и диаметра слитка на образование микродефектов в кремнии.
Дашевский М.Я., Азаренок Б.Н., Киселев Д.М., Осипов Ю.В. Моделирование процесса выращивания междендритных лент кремния на ЭВМ.
Дашевский М.Я., Иванченко В.И., Калантарян Ш.К., Савельева Л.И., Федоров Л.А., Калантарян С.Ш. Опытно-промышленное опробование метода выращивания междендритных лент кремния.
Дашевский М.Я., Докучаева A.A., Кибизов Р.В., Анисимов К.И., Петров В.В., Абаева Т.В. Свойства монокристаллов кремния, легированных германием.
Холев Б.А., Дашевский М.Я., Каган М.Б., Иванченко В.И., Токарев В. И., Кибизов Р.В. Модули солнечных батарей, созданных на междендритных лентах кремния.
Дашевский М.Я., Кибизов Р.В., Пархоменко Ю.Н. Влияние легирования междендритных лент кремния поверхностно-активными добавками на их морфологию.
Тумин И.М., Эйдензон А.М. Неравновесная термодинамика фронта кристаллизации и макронеоднородности монокристалла кремния.
Вербицкая Е.М., Гринштейн П.М., Гучетль Р.И., Еремин В.К., Строкан Н.Б., Шлимак И.С., Шокина Е.В. Трансмутационное получение высокоомного кремния со свойствами, необходимыми для спектрометрии ядерных излучений.
Ремизов O.A., Первова O.A., Насупкина Л.В., Воронина Г.П. Влияние программированного изменения скоростей вращения кристалла и тигля на качество монокристаллов кремния, выращиваемых из расплава.
Гарнак А.Е., Одинцов С.Л., Канищева Г.А., Быстрицкий A.B., Мехова М.С. Микродефекты и дефектообразование в пластинах кремния.
Эйдензон А.М., Пузанов Н.И., Михненко В.М. Особенности микродефектов в кремнии, полученном вытягиванием из жестко закрепленных сообщающихся сосудов.
Левшин Е.С., Пузанов Н.И., Роговой В.И., Эйдензон А.М. Влияние тепловых условий роста крупногабаритных кристаллов кремния, полученных методом Чохральского, на образование микродефектов.
Пузанов Н.И., Эйдензон А.М., Левшин Е.С., Горин С.Н., Зарифьянц З.А., Ткачева Т.М., Лилеева Ю.Я. Специфические микродефекты в бездислокационных кристаллах кремния, легированных фосфором.
Высоцкая В.В., Горин С.Н., Кретова М.А., Сидоров Ю.А. Декорирование микродефектов в кремнии при их выявлении методом рентгеновской топографии.
Веселовская Н.В., Данковский Ю.В. Особенности выявления Д-дефектов в бездислокационном кремнии методами селективного травления и декорирования.
Лейнова С.Л., Овсянникова С.В., Шуваев Л.Е., Юхневич A.B. Особенности диагностики дефектного состава бездислокационных монокристаллов кремния методом избирательного химического травления.
Барабаш Л.И., Бердниченко С.В., Литовченко П.Г., Розенфельд А.Б. Особенности распределения микродефектов в особо чистом кремнии, определяющие характеристики детекторов с большей толщиной чувствительной области.
Осовский М.И., Червоный И.Ф. Образование свирл-дефектов в бездислокационном кремнии.
Латышенко В.Ф., Шейхет Э.Г., Шаховцов В.И. Прямое наблюдение электрически активных дефектов в бестигельном кремнии методом ЕВ1С в РЭМ.
Курбаков А.И., Рубинова Э.Э., Соболев H.A., Трунов В.А., Шек Е.И. Структурные искажения бездислокационного кремния.
Донсков В.Г., Забельшенский В.И., Каминский A.C., Колесник Л.И., Лейферов Б.М., Покровский Я.E., Дорофеева В.Д. Аппаратура для анализа примесного состава кремния методом низкотемпературной фотолюминесценции.
Морозов А.Н., Постолов В.Г., Бублик В.Т., Литвинов Ю.М. Влияние точечных дефектов, микродефектов и дислокаций на период решётки монокристаллов кремния.
Критская Т.В., Неймарк K.H., Шкляр Б.Л. Влияние концентраций кислорода и углерода на свирлевые дефекты в кремнии.
Шейхет Э.И., Фалькевич Э.С., Сорокин Л.М., Ситникова A.A., Таланин И.Е. Исследование различных типов микродефектов в кремнии, полученном методом бестигельной зонной плавки.
Енишерлова К.Л., Резник В.Я., Темпер Э.М., Шмелева Г.Г. Особенности образования преципитатов в кремнии при высокотемпературном отжиге.
Воронков В.В., Енишерлова К.Л., Резник В.Я., Шмелева ГХ. Влияние низкотемпературного отжига и механической обработки на образование кислородсодержащих преципитатов в пластинах кремния.
Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Лебедев A.A. Влияние условий термообработки на распад твердых растворов примесей в кремнии с различным содержанием кислорода.
Гуляева A.C., Лайнер Л.В., Слободова С.У., Шушлебина Н.Я. Образование микродефектов в сильнолегированных монокристаллах кремния при термообработке.
Бабицкий Ю.М., Гринштейн П.М., Ильин М.А., Мильвидский М.Г., Резник В.Я. Влияние углерода и термической предыстории на распад пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии.
Бабицкий Ю.М., Гринштейн П.М., Горбачева Н.И., Ильин М.А., Кузнецов В.П., Мильвидский М.Г., Резник В.Я., Туровский Б.М. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода и генерация доноров в кремнии, легированном изовалентными примесями.
Петров В.В., Просолович B.C., Головин Б.И., Карпов Ю.А., Туровский Б.М., Чесноков С.А. Влияние легирования кремния редкоземельными элементами на его поведение при термообработке.
Петров В.В., Латушко Я.И., Карпов Ю.А., Туровский Б.М. Влияние низкотемпературной термообработки на оптические свойства кислородсодержащего кремния.
Петров В.В., Бринкевич Д.И., Горбачева Н.И., Туровский Б.М. Исследование термического дефектообразования Si<Ge>.
Литовченко П.Г., Шматко Г.Г., Гроза A.A., Николаева Л.Г., Заславский Ю.И., Старчик М.И. Дефекты структуры и поведение кислорода в термообработанном кремнии.
Литовченко П.Г., Дубовой В.К., Батюта С.П., Барабаш Л.И., Шматко Г.Г., Старчик М.И. Поведение свирл-дефектов в особо чистом термообработанном кремнии.
Далуда Ю.Н. Емцев В.В., Шмальц К. Термодоноры в монокристаллах кремния, образующиеся в результате термообработки при 450 и 600 °С.
Заддэ В.В., Зайцева А.К., Сурьянинова Т.Н., Токарев В.E., Епифанов. М.С. Исследование влияния высокотемпературной импульсной термообработки на свойства монокристаллического кремния.
Амиров Ю.Я., Доронина Э.В., Фаткулин Ю.Г. Исследование влияния высокотемпературной обработки на электрофизические параметры кремния, выращенного методом Чохральского.
Шейхет Э.Г., Фалькевич Э.С., Червоный И.Ф., Литвинова И.Ю. Образование различных типов микродефектов при выращивании монокристаллов кремния.
Высоцкая В.В., Горин С.Н., Сидоров Ю.А. Поведение микродефектов A-типа в пластинах кремния при диффузии золота и термическом отжиге.
Горин С.Н., Зарифьянц З.А., Ткачева Т.М., Ельцова В.М., Яцкова Г.В. Электронно-микроскопические исследования микродефектов в монокристаллах, выращенных методом Чохральского.
Перминова Л.Г., Зайцева А.К., Марасанова Э.А., Чернышова Л.И., Камерда В.П. Влияние ростовых структурных дефектов в монокристаллическом кремнии на электрические характеристики фотопреобразователей.
Тарасик М.И., Якубеня С.Н., Янченко А.М. Радиальное распределение дефектов структуры, определяющих скорость рекомбинации носителей заряда, в кремниевых слитках.
Волхов Л.И., Гаращенко Н.П., Конторович В.H., Омельянович Л.В., Ткаченко H.H. Исследование оптических характеристик высокоомного кремния, легированного кислородом.
Авдонин H.A., Козельская Н.В., Шашков Ю.М. Оценка скоростей охлаждения и термических напряжений при термообработке кремния.
Смольский И.Л., Дилбарян Г.А., Чуховский Ф.Н., Рыскин А.И., Рожанский В.Н. Влияние температуры на рентгенотопографические изображения в кремнии.
Лейнова С.Л., Овсянникова С.В., Юхневич A.B. Трансформация ростовых дефектов бездислокационного монокристаллического кремния в результате высокотемпературного отжига.
Баташев В.И., Хлебников В.Г. Распределение примесей при выращивании монокристаллов с пьедестала.
Воронов И.Н., Гринштейн П.М., Мороховец М.А., Тучкевич В.М., Шлиман И.С., Литовченко A.B. Перспективы развития технологии и применения в силовой.
электротехнике нейтронно-легированного кремния.
Юрова Е.С., Федоров В.В., Назаркин В.Н., Мороховец М.А., Гребенникова О.М., Соловьев H.H., Воронов И.Н., Кудин A.B. Вопросы оценки микронеоднородности нейтронно-легированного кремния.
Бабицкий Ю.М., Воронов И.Н., Гринштейн П.М., Гучетль Р.И., Мороховец М.А., Макеев Х.И. Перспективы нейтронного легирования кремния, выращенного методом Чохральского.
Амиров Ю.Я., Красовский С.С., Суриков И.Н. Влияние облучения на параметры различных типов кремния.
Радовильская Л.Г., Остробородова В.В., Вавилов B.C. Улучшение фотоэлектрических параметров особо чистого кремния нейтронным облучением.
Литовченко П.Г., Воевода Г.П., Дубовой В.К., Смирная Н.М. Влияние высокотемпературного отжига на время жизни носителей заряда в кремнии, облученном быстрыми нейтронами.
Литовченко П.Г., Дубовой В.К., Батюта С.П., Ластовецкий В.Ф., Влияние термообработки и облучения быстрыми нейтронами на удельное сопротивление кремния, полученного БЗП и нейтронно-легированного.
Варенцов М.Д., Барабаш Л.И., Литовченко П.Г., Розенфельд А.Б., Хиврич В.И. Электрические свойства особо чистого металлургического и нейтронно-легированного кремния и его радиационная стойкость.
Акулович Н.И. Электрические свойства и фотопроводимость нейтронно-легированных кристаллов моносиланового кремния, подвергнутых высокотемпературной обработке.
Бабицкий Ю.М., Батунина А.В., Ильин М.А., Калинушкин В.П., Гринштейн П.М., Кузнецов В.П. Исследование скоплений радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами, методами ИК-спектроскопии.
Юрова Е.С., Федоров В.В., Толстых Е.А., Мороховец М.А., Гребенникова О.М., Лайнер Л.В., Воронов И.Н. Влияние некоторых свойств исходного материала на величину микронеоднородности удельного сопротивления нейтронно-легированного кремния.
Будза A.A., Греськов И.М., Костылев В.А., Соболев H.A., Стух A.A., Трапезникова И.Н., Харченко В.А., Челноков В.Е., Шек Е.И. Повышение качества РЛК для силовых полупроводниковых приборов.
Фистуль В.И., Яковенко А.Г., Шелонин Е.А., Хорт А.М. Исследование состояния и поведения железа в кремнии при низкотемпературных обработках.
Воронков В.В., Воронкова Г.И., Омельяновский Э.М., Рябцев А.Л., Головина В.Н. Определение концентраций фоновых и компенсирующих центров в слабокомпенсированном кремнии, легированном примесями элементов III и V групп, по измерениям температурной зависимости эффекта Холла.
Иванов Н.И., Калитенко Н.Г., Маркус А.М. Свойства кремния, легированного фосфором методом ионной имплантации.
Шушлебина Н.Я., Головин Б.И., Кудин A.B., Хорват А.М. Исследование однородности бездислокационных монокристаллов кремния с помощью измерительно-вычислительного комплекса.
Василевский М.И., Пантелеев В.А. Электрически неактивная фракция примеси с неглубокими уровнями в кремнии.
Астрова Е.В., Воронков В.Б., Лебедев A.A., Урунбаев Б.М. Емкостная спектроскопия термодефектов в высокоомном кремнии n-типа проводимости.
Сидорин В.В. Многоканальное устройство для определения параметров полупроводниковых материалов радиоволновым методом неразрушающего контроля.
Иолин Е.М., Золотоябко Э.В., Кувалдин Б.В., Райтман Э.А., Гаврилов В.Н. Дифракция нейтронов в крупных монокристаллах кремния при наличии статических и динамических деформаций.
Иванцова Г.А., Бышок О.Ф., Шестаков A.A. Определение механической прочности полупроводниковых материалов посредством воздействия лазерного излучения.
Дроздов H.A., Казючиц Н.М., Легенченко Л.В., Патрин A.A. Изучение рекомбинационной однородности лент кремний методом фотолюминесценции.
Сидорин В.В. Радиоволновой неразрушающий метод определения проводимости полупроводниковых материалов.
Мессерер М.A., Омельяновский Э.М., Райхштейн В.И., Рябцев А.Л., Фридман В.А. Автоматизированная установка для контроля параметров полупроводниковых материалов методом эффекта Холла.
Прибылова Е.И., Капустин Ю.А., Минеев В.В., Прибылое H.H. Автокомпенсация и рекомбинация в Si<Au>.
Гинзбург М.И., Григорьева Г.М., Зайцева А.К., Козырева Т.А., Марасанова Э.А., Хван В.Р. Использование монокристаллических слитков вторичного кремния в производстве фотопреобразователей.
Захаров О.А„ Неймарк K.H., Трубицын Ю.В. Изучение характера распределения инертных газов в кремнии методом радиоактивных индикаторов.
Лапидус И.И., Скворцов И.М., Дьяконов Л.И. Применение элементоорганических соединений для легирования полупроводникового кремния.
Малышев В.А., Лапидус И.И. Требования к пластинам монокристаллического кремния.
Данковский Ю.В., Доброхотов Г.А., Шкляр Б.Л. Примесный состав высокоомных монокристаллов бестигельного кремния.
Павлов А.М., Фистуль В.И., Остапчук А.И. Изготовление омических и выпрямляющих контактов к кремнию методом лазерной имплантации.
Любалин М.Д., Третьяков В.Н. Новые разработки для контроля строения и точной ориентировки кристаллов кремния.