Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Дейч Р.Г., Чернов С.А. Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах

Рига: Зинатне, 1987. — 183 с.Применение метода абсорбционной спектроскопии с временным разрешением 10^-9 с оказалось чрезвычайно плодотворным для исследования быстрых радиационно-стимулированных явлений в ионных кристаллах. использование этого метода для изучения дырочных процессов в щелочно-галоидных кристаллах позволило обнаружить сосуществование нескольких механизмов движения дырок (движение горячих дырок, прыжковая диффузия и термически-активированная диссоциация V_k-центров) и выделить среди них доминирующие для различных температурных диапазонов.
В результате изучения кинетики релаксации оптического поглощения F- и H-центров, созданных импульсом высокоэнергетических электронов, установлена решающая роль механизма потенциального смещения в образовании короткоживущих F-H-пар и диссоциативного — в образовании стабильных пар, а также выяснен механизм влияния температуры и гомологических примесей на эффективность радиационного окрашивания. Путем сопоставления кинетики релаксаций люминесценции и оптического поглощения V_k. Tl⁰. Tl²⁺-центров окраски оценен вклад различных механизмов передачи энергии в формирование сцинтилляционного импульса в щелочно-галоидных сцинтилляторах.
Обнаружение совпадающих компонентов в кинетике релаксации оптического поглощения автолокализованных экситонов и короткоживущих F-H-пар позволило экспериментально обосновать гипотезу о «радиационной тряске» в случае ионных кристаллов.Предисловие.
Применение мощных электронных пучков в абсорбционной спектроскопии с временным разрешением.
Движение дырок в щелочно-галоидных кристаллах.
Сцинтилляционный процесс в щелочно-галоидных сцинтилляторах.
Образование радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах.
«Радиационная тряска» в ионных кристаллах.
Механизмы распада электонных возбуждений на френкелевские пары дефектов в щелочно-галоидных кристаллах.
Список литературы.
Предметный указатель.