Учебное пособие. – Пенза, 2003. – 79 с.
В данной работе рассматриваются конструктивно-технологические решения полупроводниковых тензочувствительных элементов датчиков давлений, в частности общие вопросы измерения давления, принципы построения ПТЧЭ датчиков давлений, а также технологические методы создания таких ПТЧЭ.
Введение
Общие вопросы измерения давления. Давление как физическая величина
Принципы построения полупроводниковых тензочувствительных элементов датчиков давлений
Общие сведения о кремнии. Индексы Миллера
Тензоэффект и его математическое описание
Мост Уитстона
Топология полупроводниковых тензочувствительных элементов датчиков давлений
Температурная зависимость характеристик полупроводниковых тензочувствительных элементов. Температурная компенсация измерительного моста