Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов

  • Файл формата djvu
  • размером 3,46 МБ
  • Добавлен пользователем , дата добавления неизвестна
  • Описание отредактировано
Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов
Учебник для вузов. — 2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Высшая школа, 1987. — 239 с.
В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей.
Для студентов специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы".
Предисловие.
Введение.
Измерение удельного сопротивления полупроводников
Определение параметров полупроводников путем измерения ЭДС холла и магнитосопротивления.
Измерение параметров неравновесных носителей заряда.
Определение параметров полупроводников путем измерения фотопроводимости, фототока, фото-ЭДС, фотолюминесценции и фотомагнитоэлектрического эффекта.
Вольт-фарадные методы измерения параметров полупроводников.
Оптические методы измерения параметров полупроводников.
Заключение.
Приложения.
Физические параметры основных полупроводников.
Параметры Ge, Si, GaAs при температуре 300 K.
Список литературы.
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация