Соколов И.А. Расчеты процессов полупроводниковой технологии

Учебное пособие для вузов. — М.: Металлургия, 1994. — 176 с.Книга содержит 14 задач по всем важнейшим процессам современной полупроводниковой технологии и является первым отечественным пособием такого типа. Каждая задача состоит из теоретической части, где в сжатом виде описаны основные закономерности процесса, пример решения, справочные данные и несколько вариантов расчетов.
Справочный материал по термодинамическим константам и свойствам полупроводниковых соединений при различных температурах составлен по литературным данным, обработанным авторами учебного пособия на ЭВМ. Он представляет самостоятельный интерес для инженеров и специалистов, занимающихся разработкой процессов выращивания объемных полупроводниковых кристаллов и пленочных структур.
Для студентов, вузов, обучающихся по специальности "Физика и технология материалов и компонентов электронной техники".Предисловие.
Расчет распределения легирующей примеси при ее диффузии в полупроводниковую пластину и временной зависимости положения p–n перехода.
Расчет процесса нагрева тел.
Расчет коэффициентов динамической и кинематической вязкости и взаимодиффузии.
Расчет газодинамики в трубчатом реакторе.
Расчет толщины динамического, диффузионного и теплового пограничных слоев.
Расчет равновесного коэффициента распределения жидкость–пар и
концентрации примеси во фракциях, получаемых в процессе дистилляции.
Расчет процесса непрерывной ректификации.
Расчет скорости роста пленок из паровой фазы в различных режимах протекания процесса и изменения состава пленок по толщине при вакуум-термическом напылении.
Расчет равновесного коэффициента распределения жидкость–твердое и эффективного коэффициента распределения для процесса выращивания монокристаллов по методу Чохральского.
Расчет распределения примеси в монокристалле и расплаве и градиента температуры, необходимого для устранения концентрационного переохлаждения.
Расчет распределения летучей примеси по длине монокристалла, выращенного в вакууме.
Расчет скорости роста эпитаксиального слоя кремния из парогазовой фазы в квазиравновесном и диффузионном режимах процесса.
Расчет скорости роста эпитаксиальных слоев из парогазовой фазы при использовании химических транспортных реакций.
Расчет скорости роста и толщины эпитаксиального слоя при выращивании из раствора-расплава в квазиравновесном и диффузионном режимах и градиента температуры, необходимого для устранения концентрационного переохлаждения.
Приложения.
Рекомендательный библиографический список.