Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы

Монография. — Минск: Наука и техника, 1986. — 254 с.В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные изменения свойств полупроводниковых материалов, так и процессы в отдельных элементах микросхем.
Предназначена для специалистов в области полупроводниковой техники, радиоэлектроники и радиационной физики твердого тела. Будет полезна также аспирантам и студентам старших курсов вузов указанного направления.Образование радиационных нарушений в твердых телах при их облучении.
Изменение свойств кремния и арсенида галлия под действием облучения.
Влияние облучения на элементы биполярных интегральных схем.
Влияние облучения на биполярные интегральные микросхемы.
Влияние облучения на МДП-транзисторы как элементы интегральных микросхем.
Влияние ионизирующей радиации на МДП интегральные микросхемы.
Прогнозирование и повышение радиационной стойкости интегральных микросхем.
Применение проникающих излучений в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.