Технологические основы электроники

Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией. Изобразить схему технологического процесса изготовления ИМС эпитаксиально-планарной струк­туры без скрытого слоя. Каким образом осуществляется изоляция в изопланарной структуре. Используется ли эпитаксия при создании КМДП-структуры. Указать недостатки методов диффузии. Желательно или нет присутствие второго максимума на профиле распределения примеси. и тд.